TPS7H5021-SEP
Radiation-tolerant, 50% duty cycle PWM controller for driving MOSFETs or GaN FETs
TPS7H5021-SEP
- 輻射性能:
- 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
- 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對于 LET 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg
- 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
- 控制器級和驅(qū)動(dòng)器級的輸入電壓范圍高達(dá) 14V
- 專用柵極驅(qū)動(dòng)器電壓輸入引腳 (PVIN) 可驅(qū)動(dòng)硅器件和 GaN 器件
- 1.2A 峰值拉電流和灌電流(12V 時(shí))
- 為了驅(qū)動(dòng) GaN,可選擇將 VLDO 線性穩(wěn)壓器輸出連接到 PVIN (TPS7H502x)
- 4.5V 至 5.5V 的可編程線性穩(wěn)壓器 (VLDO) (TPS7H502x)
- 在溫度、輻射以及線路和負(fù)載調(diào)節(jié)范圍內(nèi)提供 0.6V ±1% 的基準(zhǔn)電壓
- 開關(guān)頻率為 100kHz 至 1MHz (TPS7H502x) 或 100kHz 至 500kHz (TPS7H503x)
- 外部時(shí)鐘同步功能
- 可調(diào)斜率補(bǔ)償和軟啟動(dòng)
- 通過符合 ASTM E595 標(biāo)準(zhǔn)的塑料封裝廢氣測試
- 可用于軍用溫度范圍,即 -55°C 至 125°C
TPS7H502x 和 TPS7H503x 是一款耐輻射的電流模式單端 PWM 控制器,包含集成的柵極驅(qū)動(dòng)器。TPS7H502x 可應(yīng)用于基于硅以及氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),而 TPS7H503x 則主要面向基于硅的轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器集成了多個(gè)關(guān)鍵功能,例如軟啟動(dòng)、使能和可調(diào)斜率補(bǔ)償,同時(shí)保持較小的封裝尺寸。該控制器還具有 0.6V ± 1% 的電壓基準(zhǔn)容差,可支持高精度電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
TPS7H502x 和 TPS7H503x 可通過 SYNC 引腳使用外部時(shí)鐘來運(yùn)行,也可使用 RT 引腳以用戶決定的頻率對內(nèi)部振蕩器進(jìn)行編程來運(yùn)行。TPS7H502x 器件的開關(guān)頻率高達(dá) 1MHz,而 TPS7H503x 支持高達(dá) 500kHz 的工作頻率??刂破鞯尿?qū)動(dòng)器級具有寬輸入電壓范圍,并支持高達(dá) 1.2A 的峰值拉電流和灌電流。TPS7H502x 具有可編程穩(wěn)壓器 VLDO,該穩(wěn)壓器也可以直接連接到驅(qū)動(dòng)器級的輸入端 (PVIN),以便為 GaN FET 的運(yùn)行提供受控良好的柵極電壓。可編程穩(wěn)壓器可接受 4.5V 至 5.5V 范圍的電壓。TPS7H5020 和 TPS7H5030 器件具有 100% 的最大占空比,而 TPS7H5021 和 TPS7H5031 具有 50% 的最大占空比。該控制器支持多種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)?,包括反激式、正激式和升壓?/p>
技術(shù)文檔
設(shè)計(jì)與開發(fā)
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TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 評估模塊
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 24 | Ultra Librarian |
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