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TPS7H6005-SP

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耐輻射、QMLP 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm2 14 x 8.1
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的導(dǎo)通和關(guān)斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的導(dǎo)通和關(guān)斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅(qū)動器具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅(qū)動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅(qū)動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調(diào)節(jié)輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可以調(diào)節(jié)每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導(dǎo)通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導(dǎo)通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用該驅(qū)動器。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅(qū)動器具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅(qū)動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅(qū)動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調(diào)節(jié)輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可以調(diào)節(jié)每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導(dǎo)通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導(dǎo)通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用該驅(qū)動器。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 TPS7H60x5-SP 和 TPS7H60x5-SEP 耐輻射保障半橋 GaN FET 柵極驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 5月 5日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SP/-SEP, TPS7H6015-SP/-SEP, TPS7H6025-SP/-SEP Neutron Displacement Damage Characterization Report (Rev. B) 2025年 12月 5日
* VID TPS7H6005-SP VID TPS7H6005-SP SMD 5962-22201 2025年 7月 9日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SP, TPS7H6015-SP, TPS7H6025-SP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2025年 2月 27日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SP Total Ionizing Dose (TID) Preliminary Report 2024年 7月 16日
選擇指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
應(yīng)用手冊 QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023年 8月 30日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

TPS7H6005EVM — TPS7H6005-SEP 評估模塊

TPS7H6005 評估模塊演示了 TPS7H6005-SEP 柵極驅(qū)動器的運行情況。默認情況下，該評估模塊設(shè)置為在 PWM 模式下與 TPS7H60XX-SP 一起運行。該模式接受一個開關(guān)信號的輸入，并在內(nèi)部生成互補信號。這可以更改為器件的 IIM 模式，在該模式下，兩個輸出彼此獨立工作。

用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設(shè)計

PMP23598 — 適用于航天應(yīng)用的 75W 同步正激式轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

該參考設(shè)計使用抗輻射 TPS7H5020-SEP 脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器和抗輻射 TPS7H6005-SEP 200V GaN 半橋柵極驅(qū)動器來創(chuàng)建高效的同步正激式拓撲。為了準確直接檢測輸出電壓并實現(xiàn)高環(huán)路帶寬，將 PWM 控制器放置在次級側(cè)。半橋柵極驅(qū)動器內(nèi)的電容隔離式 TX 和 RX 電平轉(zhuǎn)換器可以將 PWM 波形從次級傳輸?shù)街骷墸瑫r保持電氣隔離。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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