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TPS7H6015-SEP

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耐輻射、60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm2 14 x 8.1
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達(dá) 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護(hù)
  • 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的導(dǎo)通和關(guān)斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標(biāo)準(zhǔn)的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達(dá) 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護(hù)
  • 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的導(dǎo)通和關(guān)斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標(biāo)準(zhǔn)的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅(qū)動器具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅(qū)動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅(qū)動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調(diào)節(jié)輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可以調(diào)節(jié)每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個輸入同時導(dǎo)通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導(dǎo)通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù)，從而可以在多種不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用該驅(qū)動器。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅(qū)動器具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅(qū)動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅(qū)動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調(diào)節(jié)輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可以調(diào)節(jié)每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個輸入同時導(dǎo)通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導(dǎo)通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù)，從而可以在多種不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用該驅(qū)動器。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 TPS7H60x5-SP 和 TPS7H60x5-SEP 耐輻射保障半橋 GaN FET 柵極驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 5月 5日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SP/-SEP, TPS7H6015-SP/-SEP, TPS7H6025-SP/-SEP Neutron Displacement Damage Characterization Report (Rev. B) 2025年 12月 5日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6015-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report 2025年 4月 29日
* VID TPS7H6015-SEP VID TPS7H6015-SEP V62-24632 2025年 4月 8日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H60X5-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2024年 11月 14日
選擇指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
應(yīng)用手冊 借助增強型航天塑料產(chǎn)品降低近地軌道任務(wù)的風(fēng)險 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 10月 14日
電子書 電子產(chǎn)品輻射手冊 (Rev. A) 2019年 5月 21日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

TPS7H6015EVM — TPS7H6015 評估模塊

TPS7H6015EVM 用戶指南提供了操作 TPS7H6015 評估模塊的全面說明。默認(rèn)情況下，該評估模塊設(shè)置為在脈寬調(diào)制模式下與 TPS7H6015-SEP 一起運行。該模式接受一個開關(guān)信號作為輸入，并在內(nèi)部生成互補信號。這可以更改為器件的獨立輸入模式，在該模式下，兩個輸出彼此獨立工作。
用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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