TPS7H6101-SEP
- 輻射性能：
- 通過了總電離劑量 (TID) 為 50krad(Si) 的輻射批次驗收測試 (RLAT)
- 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 43MeV-cm2/mg
- 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子故障中斷 (SEFI) 的特征值高達 (LET) = 43MeV-cm2/mg
- 200V e 模式 GaN FET 半橋
- 15mΩRDS(ON)（典型值）
- 100kHz 至 2MHz 運行
- LGA 封裝：
- 帶有散熱焊盤的熱優(yōu)化 12mm × 9mm LGA 封裝
- 集成式柵極驅動電阻器
- 低共源電感封裝
- 電氣隔離式高側和低側
- 適用于各種半橋和兩種開關電源拓撲的靈活控制
- 低傳播延遲
- 兩種工作模式
- 具有可調死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
- 兩個獨立輸入
- 可編程的死區(qū)時間控制
- 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
- 5V 柵極驅動電源，可實現(xiàn)穩(wěn)定的 FET 運行
TPS7H6101 是一款具有集成式柵極驅動器的抗輻射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋；集成 e 模式 GaN FET 和柵極驅動器可簡化設計、減少元件數(shù)量并縮小布板空間。支持半橋和兩個獨立開關拓撲、可配置死區(qū)時間和可配置擊穿互鎖保護，有助于為各種應用和實現(xiàn)提供支持。
技術文檔
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查看全部 6 | 頂層文檔 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS7H6101-SEP 200V、10A GaN 半橋功率級 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 5月 19日 |
| * | 輻射與可靠性報告 | TPS7H6101 Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report | 2026年 2月 20日 | |||
| * | 輻射與可靠性報告 | TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) | 2026年 1月 28日 | |||
| 證書 | TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 4月 16日 | ||||
| 選擇指南 | TI Space Products (Rev. K) | 2025年 4月 4日 | ||||
| 電子書 | 電子產品輻射手冊 (Rev. A) | 2019年 5月 21日 |
設計與開發(fā)
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評估板
TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 評估模塊
TPS7H6101EVM 在 J13 上使用輸入電壓軌為 100V 的 PVIN 供電。默認情況下，器件運行 PWM 模式，只需進行極少的更改即可使用 IIM 模式。在 J8 上輸入 0V 至 5V 波形， TPS7H6101-SP 將作為具有所選占空比和頻率的降壓轉換器運行。TPS7H6101EVM 按照快速入門指南中提到的參數(shù)進行設置和測試。使用快速入門指南以外的輸入時，請考慮電路板的熱性能管理以及電感器的 18A 飽和電流。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| UNKNOWN (NPR) | 64 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
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