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TPSI2072-Q1

正在供貨

具有 2mA 雪崩額定值的汽車級、雙通道 600V、50mA 隔離開關(guān)

可提供此產(chǎn)品的更新版本

功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
新 TPSI2260-Q1 正在供貨 具有增強(qiáng)隔離和雪崩防護(hù)功能的汽車級 600V、50mA 隔離開關(guān) Automotive 600V, 50mA Isolated Switch with Reinforced Isolation. Improved Emissions.

產(chǎn)品詳情

FET Internal Number of channels 2 Supply voltage (max) (V) 20 Supply voltage (min) (V) 4.5 Switching voltage (max) (V) 600 Rating Automotive Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Features 2-mA avalanche current Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 65 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (μA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 2 Supply voltage (max) (V) 20 Supply voltage (min) (V) 4.5 Switching voltage (max) (V) 600 Rating Automotive Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Features 2-mA avalanche current Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 65 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (μA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 符合汽車應(yīng)用要求
    • AEC-Q100 等級 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩額定 MOSFET
    • 針對電介質(zhì)耐壓測試 (Hi-Pot) 可靠性進(jìn)行設(shè)計(jì)和認(rèn)證
      • I AVA = 2mA（5s 脈沖），1mA（60s 脈沖）
      • V HIPOT, 5-s = 4300V，R series > 1.83MΩ
      • V HIPOT, 5-s = 2850V，R series > 1.1MΩ
    • 600V 關(guān)斷電壓
    • R ON = 65Ω (T J = 25°C)
    • 當(dāng)電壓為 500V (T J = 105°C) 時(shí)，I OFF = 1μA
  • 低初級側(cè)電源電流
    • 5mA 單通道、9mA 雙通道導(dǎo)通狀態(tài)電流
  • 功能安全型
    • 可幫助進(jìn)行 ISO 26262 和 IEC 61508 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作電壓下預(yù)計(jì)壽命超過 26 年
    • 隔離額定值 V ISO 高達(dá) 3750V RMS/5300V DC
  • SOIC 11 引腳 (DWQ) 封裝 ，具有寬引腳，可提高熱性能
    • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
    • 爬電距離和間隙 ≥ 3mm（開關(guān)端子之間）
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • （計(jì)劃）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （計(jì)劃）UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
  • 符合汽車應(yīng)用要求
    • AEC-Q100 等級 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩額定 MOSFET
    • 針對電介質(zhì)耐壓測試 (Hi-Pot) 可靠性進(jìn)行設(shè)計(jì)和認(rèn)證
      • I AVA = 2mA（5s 脈沖），1mA（60s 脈沖）
      • V HIPOT, 5-s = 4300V，R series > 1.83MΩ
      • V HIPOT, 5-s = 2850V，R series > 1.1MΩ
    • 600V 關(guān)斷電壓
    • R ON = 65Ω (T J = 25°C)
    • 當(dāng)電壓為 500V (T J = 105°C) 時(shí)，I OFF = 1μA
  • 低初級側(cè)電源電流
    • 5mA 單通道、9mA 雙通道導(dǎo)通狀態(tài)電流
  • 功能安全型
    • 可幫助進(jìn)行 ISO 26262 和 IEC 61508 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作電壓下預(yù)計(jì)壽命超過 26 年
    • 隔離額定值 V ISO 高達(dá) 3750V RMS/5300V DC
  • SOIC 11 引腳 (DWQ) 封裝 ，具有寬引腳，可提高熱性能
    • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
    • 爬電距離和間隙 ≥ 3mm（開關(guān)端子之間）
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • （計(jì)劃）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （計(jì)劃）UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃

TPSI2072-Q1 是一款 雙通道隔離式固態(tài)繼電器，專為高電壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 TPSI2072-Q1 與 TI 具有高可靠性的電容隔離技術(shù)和內(nèi)部背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側(cè)電源。 TPSI2072-Q1 可提高系統(tǒng)可靠性，因?yàn)?TI 的電容隔離技術(shù)不會受到機(jī)械繼電器和光繼電器元件中常見的機(jī)械損耗或光退化故障模式的影響。

該器件的初級側(cè)僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了 失效防護(hù)引腳 EN1 和 EN2，可防止對 VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數(shù)應(yīng)用中，器件的 VDD 引腳應(yīng)連接到 4.5V 至 20V 的系統(tǒng)電源，并且器件的 EN1 和 EN2 引腳應(yīng)由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅(qū)動。在其他應(yīng)用中， VDD、EN1 和 EN2 引腳可直接由系統(tǒng)電源或 GPIO 輸出驅(qū)動。

次級側(cè) 的每個(gè)通道都包含背對背 MOSFET，從 SM 至 S1 以及 SM 至 S2 的關(guān)斷電壓為 +/-600 V。 TPSI2072-Q1 MOSFET 的雪崩穩(wěn)健性和熱敏感封裝設(shè)計(jì)使其能夠可靠地支持系統(tǒng)級電介質(zhì)耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部元件即可承受高達(dá) 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。

TPSI2072-Q1 是一款 雙通道隔離式固態(tài)繼電器，專為高電壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 TPSI2072-Q1 與 TI 具有高可靠性的電容隔離技術(shù)和內(nèi)部背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側(cè)電源。 TPSI2072-Q1 可提高系統(tǒng)可靠性，因?yàn)?TI 的電容隔離技術(shù)不會受到機(jī)械繼電器和光繼電器元件中常見的機(jī)械損耗或光退化故障模式的影響。

該器件的初級側(cè)僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了 失效防護(hù)引腳 EN1 和 EN2，可防止對 VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數(shù)應(yīng)用中，器件的 VDD 引腳應(yīng)連接到 4.5V 至 20V 的系統(tǒng)電源，并且器件的 EN1 和 EN2 引腳應(yīng)由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅(qū)動。在其他應(yīng)用中， VDD、EN1 和 EN2 引腳可直接由系統(tǒng)電源或 GPIO 輸出驅(qū)動。

次級側(cè) 的每個(gè)通道都包含背對背 MOSFET，從 SM 至 S1 以及 SM 至 S2 的關(guān)斷電壓為 +/-600 V。 TPSI2072-Q1 MOSFET 的雪崩穩(wěn)健性和熱敏感封裝設(shè)計(jì)使其能夠可靠地支持系統(tǒng)級電介質(zhì)耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部元件即可承受高達(dá) 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。
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技術(shù)文檔

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頂層文檔 類型 標(biāo)題 格式選項(xiàng) 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TPSI2072-Q1 適用于絕緣監(jiān)測和高壓測量且具有 2mA 雪崩額定值的雙通道 600V、50mA 汽車類隔離開關(guān) 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 1月 25日
應(yīng)用手冊 固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 7月 24日
功能安全信息 TPSI2072-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA 2023年 6月 30日
證書 TPSI2072Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 6月 27日
產(chǎn)品概述 When to use SSR or Isolated Gate Driver PDF | HTML 2022年 8月 4日

設(shè)計(jì)與開發(fā)

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評估板

TPSI2072Q1EVM — TPSI2072-Q1 雙通道 600V 隔離開關(guān)評估模塊

TPSI2072-Q1 是包含多個(gè)測試點(diǎn)和跳線的兩銅層電路板，用于全面評估器件的功能。
用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

視頻