數(shù)據(jù)表
TS3A26746E
- 針對(duì)接地 (GND) 開關(guān)的超低 R導(dǎo)通(典型值 80mΩ)
- 針對(duì)麥克風(fēng) (MIC) 開關(guān)的 R導(dǎo)通小于 10Ω
- 3.0V 至 3.6V V+ 運(yùn)行
- 控制輸入符合 1.8 V 邏輯要求
- 6 焊錫凸點(diǎn),0.5mm 焊球間距芯片級(jí) (CSP) 封 (1.45mm × 0.95mm × 0.5mm)
- 鎖斷性能超過 100mA(符合 JESD 78,II 類規(guī)范的要求)
- 靜電放電 (ESD) 性能測(cè)試符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
- 2000V 人體模型(A114-B,II 類)
- 500V 充電器件模型 (C101)
- ESD 性能 (SLEEVE,RING2)
- ±8kV 接觸放電 (IEC 61000-4-2)
TS3A26746E 是一款 2 × 2 交叉點(diǎn)開關(guān),此開關(guān)被用來在耳機(jī)連接器上交替接地及 MIC 連接。 接地開關(guān)具有不足 0.1Ω 的超低 R導(dǎo)通以大大降低其上的電壓壓降,從而可防止耳機(jī)接地基準(zhǔn)電壓意外升高。 該開關(guān)狀態(tài)可通過 SEL 輸入進(jìn)行控制。 當(dāng) SEL 為高電平時(shí),GND 被連接至 RING2,而 MIC 被連接至 SLEEVE。 當(dāng) SEL 為低時(shí),GND 被連接至 SLEEVE,而 MIC 則被連接至 RING2。 SEL 輸入上的內(nèi)部 100k 上拉電阻器可設(shè)定開關(guān)的缺省狀態(tài)。
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查看全部 4 | 頂層文檔 | 類型 | 標(biāo)題 | 格式選項(xiàng) | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | 2 X 2 交叉點(diǎn)開關(guān),用于音頻應(yīng)用 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) | 英語(yǔ)版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2013年 7月 16日 | |
| 技術(shù)文章 | USB Type-C audio: Do I need to buy a new pair of headphones? | PDF | HTML | 2016年 7月 7日 | |||
| 應(yīng)用手冊(cè) | 防止模擬開關(guān)的額外功耗 | 英語(yǔ)版 | 2008年 7月 15日 | |||
| 應(yīng)用手冊(cè) | Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection | 2004年 7月 8日 |
設(shè)計(jì)與開發(fā)
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接口適配器
LEADLESS-ADAPTER1 — 表面貼裝轉(zhuǎn) DIP 接頭適配器,用于測(cè)試 TI 的 6、8、10、12、14、16 和 20 引腳無引線封裝
EVM-LEADLESS1 板可用于對(duì) TI 的常見無引線封裝進(jìn)行快速測(cè)試和電路板試驗(yàn)。? 該評(píng)估板有足夠的空間,可將 TI 的 DRC、DTP、DQE、RBW、RGY、RSE、RSV、RSW RTE、RTJ、RUK、RUC、RUG、RUM、RUT 和 YZP 表面貼裝封裝轉(zhuǎn)為 100mil DIP 接頭。
用戶指南: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| DSBGA (YZP) | 6 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。