TS3DDR4000

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3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道 DDR2、DDR3 和 DDR4 開關(guān)

產(chǎn)品詳情

Protocols DDR2, DDR3, DDR4, MIPI Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 2.375 Ron (typ) (mΩ) 8300 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.3 Supply current (typ) (μA) 40 ESD HBM (typ) (kV) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -68 COFF (typ) (pF) 1 CON (typ) (pF) 0.5 Off isolation (typ) (dB) -34 OFF-state leakage current (max) (μA) 5 Ron (max) (mΩ) 11200 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 0.6 Turnoff time (disable) (max) (ns) 65 Turnon time (enable) (max) (ns) 65 VIH (min) (V) 1.4 VIL (max) (V) 0.5 Rating Catalog
Protocols DDR2, DDR3, DDR4, MIPI Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 2.375 Ron (typ) (mΩ) 8300 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.3 Supply current (typ) (μA) 40 ESD HBM (typ) (kV) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -68 COFF (typ) (pF) 1 CON (typ) (pF) 0.5 Off isolation (typ) (dB) -34 OFF-state leakage current (max) (μA) 5 Ron (max) (mΩ) 11200 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 0.6 Turnoff time (disable) (max) (ns) 65 Turnon time (enable) (max) (ns) 65 VIH (min) (V) 1.4 VIL (max) (V) 0.5 Rating Catalog
NFBGA (ZBA) 48 24 mm2 8 x 3
  • 寬 VDD 范圍：2.375V 至 3.6V
  • 高帶寬：5.6GHz（單端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
  • 低開關(guān)導(dǎo)通電阻 (RON)：8?（典型值）
  • 低位間偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值為 6ps
  • 低串?dāng)_：1067MHz 下的典型值為 –34dB
  • 低工作電流：40μA（典型值）
  • 具有低功耗模式，電流消耗極低：2μA（典型值）
  • IOFF保護(hù)防止斷電狀態(tài) (VCC = 0V) 下的電流泄漏
  • 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
  • 靜電放電 (ESD) 性能:
    • 3kV 人體放電模式（A114B，II 類）
    • 1kV 組件充電模式 (C101)
  • 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 間距 ZBA 封裝
  • 寬 VDD 范圍：2.375V 至 3.6V
  • 高帶寬：5.6GHz（單端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
  • 低開關(guān)導(dǎo)通電阻 (RON)：8?（典型值）
  • 低位間偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值為 6ps
  • 低串?dāng)_：1067MHz 下的典型值為 –34dB
  • 低工作電流：40μA（典型值）
  • 具有低功耗模式，電流消耗極低：2μA（典型值）
  • IOFF保護(hù)防止斷電狀態(tài) (VCC = 0V) 下的電流泄漏
  • 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
  • 靜電放電 (ESD) 性能:
    • 3kV 人體放電模式（A114B，II 類）
    • 1kV 組件充電模式 (C101)
  • 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 間距 ZBA 封裝

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 開關(guān)，可實(shí)現(xiàn) 12 位寬總線切換。該器件可針對(duì)所有位同時(shí)將 A 端口切換為 B 或 C 端口。TS3DDR4000 設(shè)計(jì)用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器總線系統(tǒng)，并且采用一種專有架構(gòu)，可提供高帶寬（單端 5.6GHz 下的帶寬為 -3dB）、低頻下的低插入損耗以及超低傳播延遲等諸多優(yōu)勢(shì)。TS3DDR4000 兼容 1.8V 邏輯，并且所有開關(guān)均為雙向開關(guān)，提高了設(shè)計(jì)靈活性。此外，TS3DDR4000 還具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻態(tài)且器件功耗最低。

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 開關(guān)，可實(shí)現(xiàn) 12 位寬總線切換。該器件可針對(duì)所有位同時(shí)將 A 端口切換為 B 或 C 端口。TS3DDR4000 設(shè)計(jì)用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器總線系統(tǒng)，并且采用一種專有架構(gòu)，可提供高帶寬（單端 5.6GHz 下的帶寬為 -3dB）、低頻下的低插入損耗以及超低傳播延遲等諸多優(yōu)勢(shì)。TS3DDR4000 兼容 1.8V 邏輯，并且所有開關(guān)均為雙向開關(guān)，提高了設(shè)計(jì)靈活性。此外，TS3DDR4000 還具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻態(tài)且器件功耗最低。
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* 數(shù)據(jù)表 TS3DDR4000 12 位 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 開關(guān)/多路復(fù)用器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.C) PDF | HTML 2019年 5月 20日
產(chǎn)品概述 Mipi Switches PDF | HTML 2022年 1月 14日
技術(shù)文章 Memory switches bring reliability and speed to clouding computing PDF | HTML 2016年 1月 5日

設(shè)計(jì)與開發(fā)

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評(píng)估板

TS3DDR4000-EVM — TS3DDR4000 評(píng)估模塊

TS3DDR4000-EVM 是一款用于 TI 12 位高速 DDR2、DDR3 和 DDR4 開關(guān)/多路復(fù)用器的評(píng)估模塊。該模塊可以輕松評(píng)估功能開關(guān)和邏輯實(shí)施。

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仿真模型

TS3DDR4000 HSpice Model

SCDM168.ZIP (5037 KB) - HSpice Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
NFBGA (ZBA) 48 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

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