產(chǎn)品詳情

Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name SOD323 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 400 IEC 61000-4-5 (A) 30 Breakdown voltage (min) (V) 7 Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 4 Clamping voltage (V) 11.5
Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name SOD323 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 400 IEC 61000-4-5 (A) 30 Breakdown voltage (min) (V) 7 Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 4 Clamping voltage (V) 11.5
SOT (DYF) 2 3.445 mm2 2.65 x 1.3
  • IEC 61000-4-2 ESD 保護(hù)：
    • ±30kV 接觸放電
    • ±30kV 空氣間隙放電
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護(hù)：
    • 6.5-30A (8/20μs)
  • 低 IO 電容 < 7pF（典型值）
  • 超低漏電流：10nA（最大值）
  • 工業(yè)溫度范圍：-55°C 至 +150°C
  • 業(yè)界通用 SOD-323 引線式封裝 (2.65mm × 1.3mm)
  • IEC 61000-4-2 ESD 保護(hù)：
    • ±30kV 接觸放電
    • ±30kV 空氣間隙放電
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護(hù)：
    • 6.5-30A (8/20μs)
  • 低 IO 電容 < 7pF（典型值）
  • 超低漏電流：10nA（最大值）
  • 工業(yè)溫度范圍：-55°C 至 +150°C
  • 業(yè)界通用 SOD-323 引線式封裝 (2.65mm × 1.3mm)

TSDxxC 是雙向 TVS 保護(hù)二極管系列，專為鉗制 ESD 和浪涌等有害瞬變而設(shè)計(jì)。TSDxxC 器件的額定 ESD 沖擊消散值高達(dá) ±30kV（接觸放電和空氣間隙放電），這超過了 IEC 61000-4-2 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高級(jí)別（4 級(jí)）。

TSDxxC 結(jié)合了這些器件的強(qiáng)大鉗位性能和低電容，是出色的 TVS 二極管，可在許多不同應(yīng)用中保護(hù)數(shù)據(jù)線路和電源線路。

TSDxxC 系列采用業(yè)界通用的引線式 SOD-323 封裝，可輕松焊接。

TSDxxC 是雙向 TVS 保護(hù)二極管系列，專為鉗制 ESD 和浪涌等有害瞬變而設(shè)計(jì)。TSDxxC 器件的額定 ESD 沖擊消散值高達(dá) ±30kV（接觸放電和空氣間隙放電），這超過了 IEC 61000-4-2 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高級(jí)別（4 級(jí)）。

TSDxxC 結(jié)合了這些器件的強(qiáng)大鉗位性能和低電容，是出色的 TVS 二極管，可在許多不同應(yīng)用中保護(hù)數(shù)據(jù)線路和電源線路。

TSDxxC 系列采用業(yè)界通用的引線式 SOD-323 封裝，可輕松焊接。
下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

技術(shù)文檔

star =有關(guān)此產(chǎn)品的 TI 精選熱門文檔
未找到結(jié)果。請(qǐng)清除搜索并重試。
查看全部 7
類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TSDxxC 采用 SOD-323 封裝的雙向 TVS 二極管 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 10月 31日
應(yīng)用手冊(cè) 用于 USB 接口的 ESD 和浪涌保護(hù) (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 1月 23日
應(yīng)用手冊(cè) ESD 包裝和布局指南 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日
應(yīng)用手冊(cè) ISO 10605 道路車輛靜電放電所產(chǎn)生電氣干擾的測(cè)試方法 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日
應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) 保護(hù) I/O 模塊免受浪涌事件的影響 PDF | HTML 英語版 2021年 5月 5日
白皮書 Demystifying surge protection 2018年 11月 6日
應(yīng)用手冊(cè) How to select a Surge Diode 2018年 8月 29日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

如需其他信息或資源，請(qǐng)點(diǎn)擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁面查看（如有）。

評(píng)估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝（包括 0402、0201 等）的通用評(píng)估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評(píng)估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產(chǎn)品系列的開發(fā)平臺(tái)。為了測(cè)試任何型號(hào)的器件，該電路板支持所有傳統(tǒng)的 ESD 封裝結(jié)構(gòu)。器件可以焊接到相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)行測(cè)試。如果是典型的高速 ESD 二極管，則應(yīng)采用阻抗受控布局來獲取 S 參數(shù)并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管，則應(yīng)采用有布線連接到測(cè)試點(diǎn)的封裝結(jié)構(gòu)，以便輕松運(yùn)行直流測(cè)試，例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號(hào)引腳短接至信號(hào)所在的位置，輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
用戶指南: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TSD05C IBIS Model

SLVME68.ZIP (1 KB) - IBIS Model
下載
仿真模型

TSD05C PSpice Transient Model

SLVME70.ZIP (165 KB) - PSpice Model
下載
參考設(shè)計(jì)

TIDA-010271 — 面向儲(chǔ)能系統(tǒng)的可堆疊電池管理單元參考設(shè)計(jì)

該參考設(shè)計(jì)是一種全面的電芯溫度檢測(cè)和高電芯電壓精度鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包（32 芯）。該設(shè)計(jì)可監(jiān)控每個(gè)電芯的電壓和電芯溫度，并保護(hù)電池包以確保安全使用。該設(shè)計(jì)使用板載和非板載菊花鏈通信接口，以實(shí)現(xiàn)具有成本效益的堆疊式總線連接。得益于這些特性，該參考設(shè)計(jì)適用于高容量電池包應(yīng)用。
設(shè)計(jì)指南: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOT (DYF) 2 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

如果您對(duì)質(zhì)量、包裝或訂購 TI 產(chǎn)品有疑問，請(qǐng)參閱 TI 支持。??????????????

視頻