TX75E16

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具有增強型阻尼特性的 16 通道五級變送器

產(chǎn)品詳情

Device type Transmitter Number of input channels 16 Active supply current (typ) (mA) 3.6 Supply voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) 0 to 70 Interface type Serial Rating Catalog
Device type Transmitter Number of input channels 16 Active supply current (typ) (mA) 3.6 Supply voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) 0 to 70 Interface type Serial Rating Catalog
FCCSP (ALH) 144 100 mm2 10 x 10
  • 發(fā)送器支持:
    • 16 通道五級脈沖發(fā)生器和有源發(fā)送/接收 (T/R) 開關(guān)
  • 五級脈沖發(fā)生器:
    • 輸出電壓最大值:±100V
    • 輸出電壓最小值:±1V
    • 最大輸出電流:2A
    • 支持 4A 輸出電流模式。
    • 真正歸零以將輸出電壓對地放電
    • 第二諧波在 5MHz 頻率下為 –45dBc
    • –3dB 帶寬,1kΩ || 240pF 負載
      • 20MHz(對于 ±100V 電源)
      • 25MHz(對于 ±70V 電源)
      • 35MHz(針對 4A 模式下的 ±100V 電源)
    • 集成抖動:頻率為 100Hz 至 20kHz 時的測量值為 100fs
    • CW 模式近端相位噪聲:-154dBc/Hz(對于 5MHz 信號、1kHz 偏移)
    • 接收功率極低:1mW/通道
    • 可編程負載阻尼電阻器:200Ω、100Ω 或 67Ω
  • 有源發(fā)送/接收 (T/R) 開關(guān),具有:
    • 導(dǎo)通電阻:8Ω
    • 導(dǎo)通和關(guān)斷時間:100ns
    • 瞬態(tài)干擾:10mVPP
  • 片上波束形成器,具有:
    • 基于通道的 T/R 開關(guān)控制
    • 延遲分辨率:半個波束形成器時鐘周期,不低于 2ns
    • 最大延遲:214 個波束形成器時鐘周期
    • 波束形成器時鐘速度最大值:320MHz
    • 每通道模式控制,具有 2K 不同級別
    • 全局和局部重復(fù)模式,為橫波成像啟用長持續(xù)時間模式
    • 支持 120 個延遲分布
  • 高速(最大值:400MHz)雙通道 LVDS 串行編程接口。
    • 低編程時間:< 500ns(針對延遲分布更新)
    • 32 位校驗和功能可檢測錯誤的 SPI 寫入
  • 支持 CMOS 串行編程接口(不高于 50MHz)
  • 內(nèi)部溫度傳感器和自動熱關(guān)斷
  • 無需特定電源時序
  • 錯誤標志寄存器,用于檢測故障情況
  • 用于浮動電源和偏置電壓的集成無源器件
  • 小型封裝:FC-BGA-144 (10mm x 10mm),間距為 0.8mm
  • 發(fā)送器支持:
    • 16 通道五級脈沖發(fā)生器和有源發(fā)送/接收 (T/R) 開關(guān)
  • 五級脈沖發(fā)生器:
    • 輸出電壓最大值:±100V
    • 輸出電壓最小值:±1V
    • 最大輸出電流:2A
    • 支持 4A 輸出電流模式。
    • 真正歸零以將輸出電壓對地放電
    • 第二諧波在 5MHz 頻率下為 –45dBc
    • –3dB 帶寬,1kΩ || 240pF 負載
      • 20MHz(對于 ±100V 電源)
      • 25MHz(對于 ±70V 電源)
      • 35MHz(針對 4A 模式下的 ±100V 電源)
    • 集成抖動:頻率為 100Hz 至 20kHz 時的測量值為 100fs
    • CW 模式近端相位噪聲:-154dBc/Hz(對于 5MHz 信號、1kHz 偏移)
    • 接收功率極低:1mW/通道
    • 可編程負載阻尼電阻器:200Ω、100Ω 或 67Ω
  • 有源發(fā)送/接收 (T/R) 開關(guān),具有:
    • 導(dǎo)通電阻:8Ω
    • 導(dǎo)通和關(guān)斷時間:100ns
    • 瞬態(tài)干擾:10mVPP
  • 片上波束形成器,具有:
    • 基于通道的 T/R 開關(guān)控制
    • 延遲分辨率:半個波束形成器時鐘周期,不低于 2ns
    • 最大延遲:214 個波束形成器時鐘周期
    • 波束形成器時鐘速度最大值:320MHz
    • 每通道模式控制,具有 2K 不同級別
    • 全局和局部重復(fù)模式,為橫波成像啟用長持續(xù)時間模式
    • 支持 120 個延遲分布
  • 高速(最大值:400MHz)雙通道 LVDS 串行編程接口。
    • 低編程時間:< 500ns(針對延遲分布更新)
    • 32 位校驗和功能可檢測錯誤的 SPI 寫入
  • 支持 CMOS 串行編程接口(不高于 50MHz)
  • 內(nèi)部溫度傳感器和自動熱關(guān)斷
  • 無需特定電源時序
  • 錯誤標志寄存器,用于檢測故障情況
  • 用于浮動電源和偏置電壓的集成無源器件
  • 小型封裝:FC-BGA-144 (10mm x 10mm),間距為 0.8mm

TX75E16 是一款適用于超聲波成像系統(tǒng)的高度集成、高性能發(fā)送器。該器件共設(shè)有 16 個脈沖發(fā)生器電路、16 個發(fā)送/接收開關(guān)(稱為 T/R 或 TR 開關(guān)),并支持片上和片外波束形成器 (TxBF)。該器件還集成片上浮動電源,可減少所需高壓電源的數(shù)量。

TX75E16 有一個脈沖發(fā)生器電路,可生成五級高壓脈沖(高達 ±100V),這些脈沖用于激發(fā)超聲波傳感器的多個通道。該器件共支持 16 個輸出。輸出電流最大值為 2A。

該器件可用作許多應(yīng)用的發(fā)射器,這些應(yīng)用如超聲成像、無損檢測、聲納、激光雷達、海洋導(dǎo)航系統(tǒng)、大腦成像系統(tǒng)等。

TX75E16(在此數(shù)據(jù)表中被稱為器件)是一款用于激發(fā)超聲傳感器的高度集成發(fā)送器。器件集成了 16 個脈沖發(fā)生器和 16 個 T/R 開關(guān)、片上波束形成器和圖形發(fā)生器。

該器件集成了浮動電源和內(nèi)部偏置電壓所需的所有去耦電容器。此集成顯著減少了所需外部電容器數(shù)量。TX75E16 采用 144 引腳 10mm × 10mm FC-BGA 封裝(ALH 封裝),額定工作溫度范圍為 0°C 至 70°C。

脈沖發(fā)生器電路產(chǎn)生五級高壓脈沖(高達 ±100V),輸出電流最大值為 2A。當脈沖發(fā)生器發(fā)射高壓脈沖時,T/R 開關(guān)關(guān)閉,保護低壓接收電路不受損壞。當傳感器正在接收回波信號時,T/R 開關(guān)打開,并將傳感器連接到接收器。T/R 開關(guān)的開/關(guān)操作由器件中內(nèi)置的片上波束形成引擎控制。T/R 開關(guān)在導(dǎo)通狀態(tài)下提供 8Ω 的阻抗。

超聲波傳輸依靠定義傳輸方向的不同的延遲值來激發(fā)多個傳感器元件。此類操作稱為傳輸波束形成。TX75E16 支持不同通道的交錯式脈沖,從而實現(xiàn)傳輸波束形成。

在片上波束形成器模式下,不同通道脈沖的延遲分布會存儲在器件內(nèi)。器件支持的傳輸波束形成器延遲分辨率為一個波束形成器時鐘周期,延遲不超過 214 個波束形成器時鐘周期。內(nèi)部圖形發(fā)生器根據(jù)存儲在配置文件 RAM 中的圖形配置文件生成輸出脈沖圖形。每個通道都有 RAM,長度為 960 字節(jié)。圖形具有全局和局部重復(fù)特征。此功能可用于生成長圖形,并可用于橫波成像。

這些圖形分布和延遲分布是使用高速 (400MHz) 串行外設(shè)接口寫入的。高速寫入可能容易出錯,因此器件具有校驗和功能來檢測 SPI 寫入中的錯誤。

為防止器件因配置不當而損壞,內(nèi)部錯誤標志寄存器可檢測故障情況并自動將器件配置為關(guān)斷模式。

TX75E16 是一款適用于超聲波成像系統(tǒng)的高度集成、高性能發(fā)送器。該器件共設(shè)有 16 個脈沖發(fā)生器電路、16 個發(fā)送/接收開關(guān)(稱為 T/R 或 TR 開關(guān)),并支持片上和片外波束形成器 (TxBF)。該器件還集成片上浮動電源,可減少所需高壓電源的數(shù)量。

TX75E16 有一個脈沖發(fā)生器電路,可生成五級高壓脈沖(高達 ±100V),這些脈沖用于激發(fā)超聲波傳感器的多個通道。該器件共支持 16 個輸出。輸出電流最大值為 2A。

該器件可用作許多應(yīng)用的發(fā)射器,這些應(yīng)用如超聲成像、無損檢測、聲納、激光雷達、海洋導(dǎo)航系統(tǒng)、大腦成像系統(tǒng)等。

TX75E16(在此數(shù)據(jù)表中被稱為器件)是一款用于激發(fā)超聲傳感器的高度集成發(fā)送器。器件集成了 16 個脈沖發(fā)生器和 16 個 T/R 開關(guān)、片上波束形成器和圖形發(fā)生器。

該器件集成了浮動電源和內(nèi)部偏置電壓所需的所有去耦電容器。此集成顯著減少了所需外部電容器數(shù)量。TX75E16 采用 144 引腳 10mm × 10mm FC-BGA 封裝(ALH 封裝),額定工作溫度范圍為 0°C 至 70°C。

脈沖發(fā)生器電路產(chǎn)生五級高壓脈沖(高達 ±100V),輸出電流最大值為 2A。當脈沖發(fā)生器發(fā)射高壓脈沖時,T/R 開關(guān)關(guān)閉,保護低壓接收電路不受損壞。當傳感器正在接收回波信號時,T/R 開關(guān)打開,并將傳感器連接到接收器。T/R 開關(guān)的開/關(guān)操作由器件中內(nèi)置的片上波束形成引擎控制。T/R 開關(guān)在導(dǎo)通狀態(tài)下提供 8Ω 的阻抗。

超聲波傳輸依靠定義傳輸方向的不同的延遲值來激發(fā)多個傳感器元件。此類操作稱為傳輸波束形成。TX75E16 支持不同通道的交錯式脈沖,從而實現(xiàn)傳輸波束形成。

在片上波束形成器模式下,不同通道脈沖的延遲分布會存儲在器件內(nèi)。器件支持的傳輸波束形成器延遲分辨率為一個波束形成器時鐘周期,延遲不超過 214 個波束形成器時鐘周期。內(nèi)部圖形發(fā)生器根據(jù)存儲在配置文件 RAM 中的圖形配置文件生成輸出脈沖圖形。每個通道都有 RAM,長度為 960 字節(jié)。圖形具有全局和局部重復(fù)特征。此功能可用于生成長圖形,并可用于橫波成像。

這些圖形分布和延遲分布是使用高速 (400MHz) 串行外設(shè)接口寫入的。高速寫入可能容易出錯,因此器件具有校驗和功能來檢測 SPI 寫入中的錯誤。

為防止器件因配置不當而損壞,內(nèi)部錯誤標志寄存器可檢測故障情況并自動將器件配置為關(guān)斷模式。

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TX75E16EVM — TX75E16 評估模塊

TX75E16 評估模塊 (EVM) 可評估 TX75E16 器件及其功能。

驅(qū)動程序或庫

TX75E16-DESIGN TX75E16 design files

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支持的產(chǎn)品和硬件

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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用,包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

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