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TXG8122-Q1

預(yù)發(fā)布

用于 I2C 信號的汽車級 2 位雙向 80V 接地電平轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/μs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/μs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
  • 雙向 I2C 兼容通信
  • 支持標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式和超快速模式 I2C 操作
  • 支持高達(dá) ±80V 的DV偏移
  • 數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 1MHz
  • 側(cè) 1 電源電壓范圍：3V 至 5.5V
  • 側(cè) 2 電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 最大容性負(fù)載：
    • 80pF（側(cè) 1）和 550pF（側(cè) 2）
  • 具有電流吸收能力的開漏輸出：
    • 3.5mA（側(cè) 1）和 50mA（側(cè) 2）
  • 在 400kHz 下功耗低（典型值）：
    • ICC1 = 3.1mA、ICC2 = 0.7mA
  • 工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C
  • CMTI 為 500V/μs
  • 閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規(guī)范的要求
  • ESD 保護(hù)性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2000V 人體放電模型
    • 500V 充電器件模型
  • 提供的封裝選項：SOIC (8D)、WSON (8DSG)、SOT-23 (8DDF)
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
  • 雙向 I2C 兼容通信
  • 支持標(biāo)準(zhǔn)模式、快速模式和超快速模式 I2C 操作
  • 支持高達(dá) ±80V 的DV偏移
  • 數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 1MHz
  • 側(cè) 1 電源電壓范圍：3V 至 5.5V
  • 側(cè) 2 電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 最大容性負(fù)載：
    • 80pF（側(cè) 1）和 550pF（側(cè) 2）
  • 具有電流吸收能力的開漏輸出：
    • 3.5mA（側(cè) 1）和 50mA（側(cè) 2）
  • 在 400kHz 下功耗低（典型值）：
    • ICC1 = 3.1mA、ICC2 = 0.7mA
  • 工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C
  • CMTI 為 500V/μs
  • 閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規(guī)范的要求
  • ESD 保護(hù)性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2000V 人體放電模型
    • 500V 充電器件模型
  • 提供的封裝選項：SOIC (8D)、WSON (8DSG)、SOT-23 (8DDF)

TXG8122-Q1 器件是適用于 I2C 的雙路雙向、基于非電流的電壓和接地電平轉(zhuǎn)換器。該器件支持使用兩個獨立的可配置電源軌：側(cè) 1 設(shè)計為可跟蹤 VCC1，該端口支持 3V 至 5.5V 的任何電源電壓。側(cè) 2 設(shè)計為可跟蹤 VCC2，該端口支持 2.25V 至 5.5V 的任何電源電壓。與傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器相比，TXG8122-Q1 可以解決高達(dá) ±80V 的不同接地電平之間的電壓轉(zhuǎn)換問題。只要 GNDA 和 GNDB 之間的差值保持在 -80V 至 +80V之間，GNDA 或 GNDB 都可能存在接地偏移。

簡化版方框圖 顯示了一個常見用例，其中 GNDA 與 GNDB 之間存在直流漂移（由寄生電阻或電容引起）。TXG8122-Q1 在具有不同電源電壓和不同接地基準(zhǔn)的系統(tǒng)之間，能夠支持基于 I2C 的通信。當(dāng) VCC 至 GND 短接時，GNDA 和 GNDB 之間的漏電流通常為 50nA。

TXG8122-Q1 器件是適用于 I2C 的雙路雙向、基于非電流的電壓和接地電平轉(zhuǎn)換器。該器件支持使用兩個獨立的可配置電源軌：側(cè) 1 設(shè)計為可跟蹤 VCC1，該端口支持 3V 至 5.5V 的任何電源電壓。側(cè) 2 設(shè)計為可跟蹤 VCC2，該端口支持 2.25V 至 5.5V 的任何電源電壓。與傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器相比，TXG8122-Q1 可以解決高達(dá) ±80V 的不同接地電平之間的電壓轉(zhuǎn)換問題。只要 GNDA 和 GNDB 之間的差值保持在 -80V 至 +80V之間，GNDA 或 GNDB 都可能存在接地偏移。

簡化版方框圖 顯示了一個常見用例，其中 GNDA 與 GNDB 之間存在直流漂移（由寄生電阻或電容引起）。TXG8122-Q1 在具有不同電源電壓和不同接地基準(zhǔn)的系統(tǒng)之間，能夠支持基于 I2C 的通信。當(dāng) VCC 至 GND 短接時，GNDA 和 GNDB 之間的漏電流通常為 50nA。
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* 數(shù)據(jù)表 適用于 I2C 的 TXG8122-Q1 ± 80V 雙向接地電平轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 6月 12日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

TXG-4CH-EVM — 4 通道接地電平轉(zhuǎn)換器的 TXG 評估模塊

TXG-4CH-EVM 是用于評估 TXGx04x 4 通道接地電平轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品系列的評估模塊 (EVM)。EVM 支持多種封裝選項，包括 16 引腳 DBQ、14 引腳 DYY 和 14 引腳 RUC。此 EVM 配置了多個測試點和連接選項來評估器件。
用戶指南: PDF | HTML
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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