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UCC21231

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具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 1600 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 320 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 2263 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6.5 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 1600 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 320 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 2263 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6.5 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
WSON (DLG) 13 16 mm2 4 x 4
  • 通用：雙路低側(cè)、雙路高側(cè)或半橋驅(qū)動器
  • 高達 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 基本隔離額定值為 1.6KVRMS
  • 共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 開關參數(shù)：
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 5ns 最大脈寬失真
    • 10μs 最大 VDD 上電延遲
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅(qū)動電源，具有 5V VDD UVLO 保護
  • 針對所有電源的 UVLO 保護
  • 電源時序快速啟用

  • 4×4mm SON 封裝，間距 >1.2mm：

    • 每個通道下的散熱焊盤
    • 14.1°C/W R?JB

  • 結(jié)溫范圍：–40°C 至 +150°C
  • 通用：雙路低側(cè)、雙路高側(cè)或半橋驅(qū)動器
  • 高達 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 基本隔離額定值為 1.6KVRMS
  • 共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 開關參數(shù)：
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 5ns 最大脈寬失真
    • 10μs 最大 VDD 上電延遲
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅(qū)動電源，具有 5V VDD UVLO 保護
  • 針對所有電源的 UVLO 保護
  • 電源時序快速啟用

  • 4×4mm SON 封裝，間距 >1.2mm：

    • 每個通道下的散熱焊盤
    • 14.1°C/W R?JB

  • 結(jié)溫范圍：–40°C 至 +150°C

UCC21231 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)定性。UCC21231 采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅(qū)動功率 MOSFET 和 GaN 晶體管。

UCC21231 可配置為兩個低側(cè)驅(qū)動器、兩個高側(cè)驅(qū)動器或一個半橋驅(qū)動器。輸入側(cè)通過一個 1.6kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅(qū)動器隔離，其共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。

保護功能包括：可通過電阻器編程的死區(qū)時間；通過啟用功能同時關閉兩路輸出；集成的抗尖峰濾波器可抑制短于 5ns 的輸入瞬變；以及在輸入和輸出引腳上對高達 -2V 的尖峰進行 200ns 的負電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護。

UCC21231 器件接受的 VDD 電源電壓高達 25V。憑借 3V 至 5.5V 的輸入 VCCI 范圍，該驅(qū)動器非常適合連接數(shù)字控制器。所有電源電壓引腳都有欠壓鎖定 (UVLO) 保護機制。

憑借所有這些高級特性，UCC21231 器件能夠在各種電源應用中實現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。

UCC21231 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)定性。UCC21231 采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅(qū)動功率 MOSFET 和 GaN 晶體管。

UCC21231 可配置為兩個低側(cè)驅(qū)動器、兩個高側(cè)驅(qū)動器或一個半橋驅(qū)動器。輸入側(cè)通過一個 1.6kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅(qū)動器隔離，其共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。

保護功能包括：可通過電阻器編程的死區(qū)時間；通過啟用功能同時關閉兩路輸出；集成的抗尖峰濾波器可抑制短于 5ns 的輸入瞬變；以及在輸入和輸出引腳上對高達 -2V 的尖峰進行 200ns 的負電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護。

UCC21231 器件接受的 VDD 電源電壓高達 25V。憑借 3V 至 5.5V 的輸入 VCCI 范圍，該驅(qū)動器非常適合連接數(shù)字控制器。所有電源電壓引腳都有欠壓鎖定 (UVLO) 保護機制。

憑借所有這些高級特性，UCC21231 器件能夠在各種電源應用中實現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。
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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 UCC21231 采用薄型 SON 封裝的 4A 拉電流、6A 灌電流、高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 9月 25日

設計與開發(fā)

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

評估板

UCC21231AEVM-108 — UCC21231A 評估模塊

UCC21231AEVM-108 專為評估 UCC21231A 柵極驅(qū)動器而設計。UCC21231A 是具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流的 1.6kVrms 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，可驅(qū)動 Si MOSFET、IGBT 和 WBG 器件（如 SiC 和 GaN 晶體管）。本用戶指南提供了 UCC21231A 的完整評估模塊原理圖、印刷電路板布局布線、物料清單、測試設置和特性說明。
用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.A): PDF | HTML
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仿真模型

UCC21231 PSpice Model

SLUM895.ZIP (199 KB) - PSpice Model
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創(chuàng)建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
發(fā)送申請
參考設計

PMP23547 — 基于 GaN 的 8kW 三相圖騰柱功率因數(shù)校正和三相 LLC 參考設計

該參考設計為高密度、高效率的 8kW 電源。第一級是三角導通模式 (TCM) 功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器，后跟一個與 Δ-Δ 連接的三相電感器-電感器-電容器 (LLC) 轉(zhuǎn)換器。這兩個功率級均采用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關實現(xiàn)。該 PFC 在基于零電流檢測 (ZCD) 的控制機制中采用三相圖騰柱 PFC。該控制方法可以變頻運行，并在整體運行條件下保持零電壓開關 (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 感測功能的 LMG3527R030 GaN 場效應晶體管 (FET) 來實現(xiàn)。轉(zhuǎn)換器的工作頻率范圍約介于 70kHz 和 (...)
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WSON (DLG) 13 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

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