ZHCSSD2 july 2023 AFE539F1-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
-
6 規(guī)格
- 6.1 絕對(duì)最大額定值
- 6.2 ESD 等級(jí)
- 6.3 建議運(yùn)行條件
- 6.4 熱性能信息
- 6.5 電氣特性：ADC 輸入
- 6.6 電氣特性：通用
- 6.7 時(shí)序要求：I2C?標(biāo)準(zhǔn)模式
- 6.8 時(shí)序要求：I2C 快速模式
- 6.9 時(shí)序要求：I2C?超快速模式
- 6.10 時(shí)序要求：SPI 寫入操作
- 6.11 時(shí)序要求：SPI 讀取和菊花鏈操作 (FSDO = 0)
- 6.12 時(shí)序要求：SPI 讀取和菊花鏈操作 (FSDO = 1)
- 6.13 時(shí)序要求：PWM 輸出
- 6.14 時(shí)序圖
- 6.15 典型特性
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說明
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 7.6
寄存器映射
- 7.6.1 NOP 寄存器（地址 = 00h）[復(fù)位 = 0000h]
- 7.6.2 REF-GAIN-CONFIG 寄存器（地址 = 15h）[復(fù)位 = 0401h]
- 7.6.3 COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[復(fù)位 = 13FFh]
- 7.6.4 COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[復(fù)位 = 0000h]
- 7.6.5 COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[復(fù)位 = 0001h]
- 7.6.6 GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[復(fù)位 = 00h、DEVICE-ID、VERSION-ID]
- 7.6.7 INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[復(fù)位 = 0000h]
- 7.6.8 STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[復(fù)位 = 0003h]
- 7.6.9 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[復(fù)位 = 0000h]
- 7.6.10 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[復(fù)位 = 0000h]
- 7.6.11 MAX-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 20h）[RESET = 007Fh]
- 7.6.12 MIN-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 21h）[復(fù)位 = 0000h]
- 7.6.13 FUNCTION-COEFFICIENT 寄存器（SRAM 地址 = 22h）[復(fù)位 = 01F4h]
- 7.6.14 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 23h）[復(fù)位 = 000Bh]
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTE|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTE|16
訂購信息
7.4.1.1 電壓基準(zhǔn)選擇
圖 7-3 顯示了使用 AFE539F1-Q1 時(shí)三種可能的電壓基準(zhǔn)選項(xiàng)：電源作為基準(zhǔn)、內(nèi)部基準(zhǔn)或外部基準(zhǔn)（VREF/MODE 引腳）。REF-GAIN-CONFIG 寄存器中的 REF-GAIN 字段用于選擇基準(zhǔn)和相應(yīng)的增益。滿量程 ADC 電壓隨所選擇的電壓基準(zhǔn)而變化。
圖 7-3 電壓基準(zhǔn)選擇與斷電邏輯