ZHCSTK2A October 2023 – January 2026 BQ25185
PRODUCTION DATA
| 引腳 | I/O(1) | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | ||
IN | 10 | P | 直流輸入電源。將 IN 連接到外部直流電源。使用容值至少為 1μF 的陶瓷電容器將 IN 旁路至 GND。 |
SYS | 1 | P | 調(diào)節(jié)的系統(tǒng)輸出。在 SYS 與 GND 之間連接一個(gè)至少 10μF 的陶瓷電容器(直流偏置降額后時(shí)的陶瓷電容至少 1μF),并盡可能靠近 SYS 和 GND 引腳放置。 |
BAT | 2 | P | 電池連接。將 BAT 連接到電池的正端子。使用容值至少為 1μF 的陶瓷電容器將 BAT 旁路至 GND。 |
GND | 5 | - | 接地連接。連接到電路的接地平面。 |
ILIM/VSET | 7 | I/O | 輸入電流限制和電池調(diào)節(jié)電壓程序輸入。另請(qǐng)參閱第 8.3.6 節(jié)“ILIM/VSET 控制”。 |
ISET | 8 | I/O | 快速充電電流程序輸入。對(duì)于低充電電流值,建議使用 RC。最好僅在 ISET 引腳上使用一個(gè)電阻器。另請(qǐng)參閱第 8.1.1.4 節(jié)“ISET 引腳檢測(cè)”。 |
STAT1 | 9 | O | 開(kāi)漏狀態(tài)輸出??梢酝ㄟ^(guò) 1k? 至 20kΩ 電阻上拉。典型上拉電壓 = 1.8V。最大上拉電壓 = 5V。另請(qǐng)參閱第 8.3.10 節(jié)“狀態(tài)引腳”。可以在未使用時(shí)保持懸空狀態(tài)。 |
TS/MR | 6 | I/O | 手動(dòng)復(fù)位輸入和 NTC 熱敏電阻輸入引腳。TS/MR 是一個(gè)通用輸入,其保持低電平的時(shí)間必須超過(guò) tLPRESS 才能進(jìn)入出廠模式。TS/MR 可由瞬時(shí)按鈕或 MOSFET 驅(qū)動(dòng)。TS/MR 引腳還可以連接一個(gè) NTC 熱敏電阻。另請(qǐng)參閱第8.3.9節(jié) 外部 NTC 監(jiān)測(cè) (TS)。 |
CE | 4 | I | 充電啟用(低電平有效)輸入。將 CE 連接至高邏輯電平,以禁用充電。將 CE 連接至低邏輯電平,以啟用充電。 |
STAT2 | 3 | O | 開(kāi)漏狀態(tài)輸出。可以通過(guò) 1k? 至 20kΩ 電阻上拉。典型上拉電壓 = 1.8V。最大上拉電壓 = 5V。另請(qǐng)參閱第 8.3.10 節(jié)“狀態(tài)引腳”??梢栽谖词褂脮r(shí)保持懸空狀態(tài)。 |