ZHCSTK2A October 2023 – January 2026 BQ25185
PRODUCTION DATA
在運(yùn)行過(guò)程中,為了防止器件因過(guò)熱而損壞,會(huì)監(jiān)控裸片的結(jié)溫 TJ。當(dāng) TJ 達(dá)到 TSHUT_RISING 時(shí),器件停止充電,并且關(guān)閉 VSYS。如果在向器件(電池或適配器)供電之前 TJ > TSHUT_RISING,無(wú)論 TS/MR 引腳如何,輸入 FET 和 BATFET 都會(huì)保持關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng) TJ 降至低于 TSHUT_FALLING 時(shí),如果存在 VIN 或在僅電池模式中運(yùn)行,器件將自動(dòng)上電。
在充電過(guò)程中,為了防止器件過(guò)熱,器件會(huì)監(jiān)控裸片的結(jié)溫,并在 TJ 達(dá)到熱調(diào)節(jié)閾值 (TREG) 時(shí),減小充電電流。如果充電電流降至 0,則電池會(huì)提供 SYS 輸出所需的電流。
為確保系統(tǒng)功率耗散保持在器件的限值范圍內(nèi),可使用以下公式計(jì)算器件的功率耗散:
PDISS = PSYS + PBAT,其中:
PSYS = (VIN – VSYS) * IIN
PBAT = (VSYS – VBAT) * IBAT
可使用以下公式,根據(jù)預(yù)期的電路板性能估算裸片結(jié)溫 TJ:
TJ = TA + θJA * PDISS
θJA 在很大程度上由電路板布局布線、電路板層、覆銅厚度和布局決定。更多有關(guān)新舊熱指標(biāo)的信息,請(qǐng)參閱 IC 封裝熱指標(biāo)應(yīng)用報(bào)告。在典型條件下,處于這種狀態(tài)的時(shí)間非常短。