ZHCSML8B June 2021 – August 2021 DRV8212
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DSG|8
訂購(gòu)信息
9.2.2.3 應(yīng)用曲線
下圖顯示了半橋模式下高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的波形示例。圖 9-15 和圖 9-16 顯示了使用高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)來(lái)單向驅(qū)動(dòng)電機(jī)的示例波形。圖 9-17 和圖 9-18 顯示了使用高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)來(lái)驅(qū)動(dòng)螺線管的示例波形。圖 9-19和圖 9-20 顯示了當(dāng) OUTx 引腳并聯(lián)在一起以創(chuàng)建單個(gè)半橋時(shí)，使用高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的示例。
A.
圖 9-15 使用高側(cè) FET 在具有 50% 占空比的半橋模式下驅(qū)動(dòng)電機(jī)| 通道 1 = IN2 | 通道 2 = VOUT2 | 通道 4 = 電機(jī)電流 |
A.
圖 9-17 使用高側(cè) FET 在半橋模式下驅(qū)動(dòng)螺線管| 通道 1 = IN1 | 通道 2 = VOUT1 | 通道 4 = 螺線管電流 |
A.
圖 9-19 使用高側(cè) FET 在并聯(lián)半橋模式下驅(qū)動(dòng)電機(jī)| 通道 1 = IN1，IN2（并聯(lián)） | 通道 2 = VVCC | 通道 3 = VOUT（OUT1/2 并聯(lián)） |
| 通道 8 = 電機(jī)電流 |
A.
圖 9-16 使用低側(cè) FET 在具有 50% 占空比的半橋模式下驅(qū)動(dòng)電機(jī)| 通道 1 = IN2 | 通道 2 = VOUT2 | 通道 4 = 電機(jī)電流 |
A.
圖 9-18 使用低側(cè) FET 在半橋模式下驅(qū)動(dòng)螺線管| 通道 1 = IN1 | 通道 2 = VOUT1 | 通道 4 = 螺線管電流 |
A.
圖 9-20 使用低側(cè) FET 在并聯(lián)半橋模式下驅(qū)動(dòng)電機(jī)| 通道 1 = IN1，IN2（并聯(lián)） | 通道 5 = VVCC | 通道 6 = VOUT（OUT1/2 并聯(lián)） |
| 通道 8 = 電機(jī)電流 |