ZHCSXL6 December 2024 DRV8351-SEP
PRODUCTION DATA
3 說明
DRV8351-SEP 是一款三相半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和外部電容為高側(cè) MOSFET 生成合適的柵極驅(qū)動電壓。GVDD 用于為低側(cè) MOSFET 生成柵極驅(qū)動電壓。此柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達 750mA 的峰值拉電流和 1.5A 的峰值灌電流。
相位引腳 SHx 能夠承受顯著的瞬變負(fù)電壓；而高側(cè)柵極驅(qū)動器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的瞬變正電壓 (57.5V) 絕對最大電壓，從而提高系統(tǒng)的魯棒性。較小的傳播延遲和延遲匹配參數(shù)可盡可能降低死區(qū)時間要求，從而進一步提高效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護。
器件信息(1)
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸(2) | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|---|
| DRV8351DMPWTSEP | TSSOP (20) | 6.50mm × 6.40mm | 6.40mm × 4.40mm |
| DRV8351DIMPWTSEP | TSSOP (20) | 6.50mm × 6.40mm | 6.40mm × 4.40mm |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
(2) 封裝尺寸（長 × 寬）為標(biāo)稱值，并包括引腳（如適用）。
DRV8351-SEPD 的簡化原理圖