ZHCSX84A October 2024 – March 2025 DRV8376
PRODUCTION DATA
主動(dòng)消磁通過(guò)在體二極管開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)自動(dòng)導(dǎo)通 MOSFET 以降低二極管導(dǎo)通損耗,從而降低器件中的功率損耗。主動(dòng)消磁用于切換換向狀態(tài)時(shí)的梯形換向(關(guān)斷一個(gè)高側(cè) MOSFET 并導(dǎo)通另一個(gè)高側(cè) MOSFET,同時(shí)保持低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通)。當(dāng)在 SPI 型號(hào)中設(shè)置 EN_ASR 和 EN_AAR 位或在硬件型號(hào)中將 OCP/SR 引腳設(shè)置為模式 2 或模式 4 時(shí),將啟用主動(dòng)消磁。
當(dāng)在禁用主動(dòng)消磁的情況下切換換向狀態(tài)時(shí),會(huì)插入死區(qū)時(shí)間,低側(cè) MOSFET 的體二極管會(huì)導(dǎo)通,同時(shí)導(dǎo)通另一個(gè)高側(cè) MOSFET,以繼續(xù)通過(guò)電機(jī)提供電流。由于二極管的正向偏置電壓和較慢的電流耗散,該導(dǎo)通期間會(huì)導(dǎo)致更高的功率損耗。圖 9-2 顯示了在切換換向狀態(tài)時(shí)的體二極管導(dǎo)通。
圖 9-2 在 DRV8376 中禁用了主動(dòng)消磁
圖 9-3 在 DRV8376 中啟用了主動(dòng)消磁