ZHCSX84A October 2024 – March 2025 DRV8376
PRODUCTION DATA
可調(diào)柵極驅(qū)動電流控制主動管理半橋中的 MOSFET,以實現(xiàn)壓擺率控制。MOSFET VDS 壓擺率對優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復(fù)尖峰的能量和持續(xù)時間以及寄生引起的開關(guān)電壓瞬態(tài)有著關(guān)鍵影響。內(nèi)部 MOSFET 的柵極電荷的速率主要決定這些壓擺率,如圖 7-10 所示。
圖 7-10 壓擺率電路實現(xiàn)在硬件型號中,每個半橋的壓擺率可以通過 SLEW 引腳進(jìn)行調(diào)整,在 SPI 器件型號中則使用 SLEW 位進(jìn)行調(diào)整。每個半橋都可以選擇為 1.1V/ns、0.5V/ns、0.25V/ns 或 0.05V/ns 的壓擺率設(shè)置。壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出,如圖 7-11 所示。
圖 7-11 壓擺率時序