ZHCSRF9A December 2022 – October 2023 DRV8461
PRODUCTION DATA
在 PWM 電流斬波期間,將啟用 H 橋以驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)電機(jī)繞組,直至達(dá)到 PWM 電流斬波閾值。圖 7-12 的項(xiàng)目 1 中展示了這種情況。
一旦達(dá)到斬波電流閾值后,H 橋可在兩種不同的狀態(tài)下運(yùn)行:快速衰減或慢速衰減。
在快速衰減模式下,一旦達(dá)到 PWM 斬波電流電平,H 橋便會(huì)通過(guò)導(dǎo)通對(duì)側(cè)的 MOSFET 進(jìn)行狀態(tài)逆轉(zhuǎn),使繞組電流反向流動(dòng)。由于繞組電流接近零,因此會(huì)禁用該電橋,以防止進(jìn)一步出現(xiàn)反向流動(dòng)的電流。圖 7-12 的項(xiàng)目 3 中展示了快速衰減模式。
在慢速衰減模式下,通過(guò)啟用 H 橋中的兩個(gè)低側(cè) MOSFET 來(lái)實(shí)現(xiàn)繞組電流的再循環(huán)。圖 7-12 的項(xiàng)目 2 中展示了這種情況。
衰減模式通過(guò) DECAY 寄存器或者 DECAY0 和 DECAY1 引腳來(lái)選擇,如表 7-19 所示。該器件支持動(dòng)態(tài)更改衰減模式。
SPI 接口 | H/W 接口 | 衰減模式 | |
|---|---|---|---|
| DECAY | DECAY0 | DECAY1 | |
| 000b | 高阻態(tài) | 1 | 慢速衰減 |
| 100b | 1 | 0 | 混合衰減:快 30% |
| 101b | 高阻態(tài) | 0 | 混合衰減:快 60% |
| 110b | 0 | 0 | 智能調(diào)優(yōu)動(dòng)態(tài)衰減 |
| 111b(默認(rèn)值) | 0 | 1 | 智能調(diào)優(yōu)紋波控制 |
DECAY 位的其余設(shè)置(001b、010b、011b)和(DECAY0 = 1,DECAY1 = 1)設(shè)置被保留。
DRV8461 還具有靜音步進(jìn)衰減模式,可在低速和靜止?fàn)顟B(tài)下實(shí)現(xiàn)超靜音工作。詳情請(qǐng)參見(jiàn)節(jié) 7.3.12。