ZHCSRF9A December 2022 – October 2023 DRV8461
PRODUCTION DATA
圖 7-13 慢速衰減模式在慢速衰減期間,H 橋的兩個低側(cè) FET 均處于開啟狀態(tài),以便實(shí)現(xiàn)電流再循環(huán)。以下是選擇慢速衰減模式時需要考慮的要點(diǎn):
在給定的 tOFF 下,慢速衰減是電流紋波最低的衰減模式。
但是,在電流步進(jìn)下降時,慢速衰減需要很長的時間才能穩(wěn)定至新的 ITRIP 電平,因?yàn)榇藭r的電流下降速度非常慢。
如果關(guān)斷時間結(jié)束時的電流高于 ITRIP 電平,則慢速衰減將延長另一個關(guān)斷時間,依此類推,直到關(guān)斷時間結(jié)束時的電流低于 ITRIP 電平為止。
如果電流保持在相同電平很長時間(STEP 無輸入)、目標(biāo)調(diào)節(jié)電流電平較低,或在極低的步進(jìn)速度下,慢速衰減可能無法正確調(diào)節(jié)電流,因?yàn)殡姍C(jī)繞組上的反電動勢可能非常小,無法在關(guān)斷期間對電流進(jìn)行放電。在這種狀態(tài)下,電機(jī)電流上升速度會非???,可能需要極長的關(guān)斷時間。在某些情況下,這可能會導(dǎo)致電流調(diào)節(jié)損耗,因此建議采用更快速的衰減模式。