ZHCSZD0A December 2025 – December 2025 ESD752
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 封裝 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關(guān)斷電壓 | 所有封裝 | -24 | 24 | V | ||
| VBRF | 正向擊穿電壓(2) | IIO = 10mA，IO 至 GND | 所有封裝 | 25.5 | 35.5 | V | |
| VBRR | 反向擊穿電壓(2) | IIO = -10mA、IO 至 GND | 所有封裝 | -35.5 | -25.5 | V | |
| VCLAMP | 鉗位電壓(3) | IPP = 最大值，tp = 8/20μs，IO 至 GND | 所有封裝 | 37 | V | ||
| 鉗位電壓(4) | IPP = 16A，TLP，IO 至 GND 或 GND 至 IO | SOT-23 和 SC-70 | 35 | V | |||
| DFN1110-3 | 38 | V | |||||
| ILEAK | 漏電流 | VIO = ±24V、IO 至 GND | 所有封裝 | -50 | 5 | 50 | nA |
| RDYN | 動態(tài)電阻(4) | IO 至 GND 和 GND 至 IO | SOT-23 和 SC-70 | 0.35 | Ω | ||
| DFN1110-3 | 0.43 | Ω | |||||
| CL | 線路電容(5) | VIO = 0V，f = 1MHz，Vpp = 30mV | 所有封裝 | 3 | 5 | pF | |