ZHCSP10E November 2021 – July 2025 ISOUSB111
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWX|16
- DW|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.3.1.1 布局示例
本部分中的布局示例顯示了去耦電容器和 ESD 保護(hù)二極管的建議放置方式。建議在 D+/D- 信號(hào)布線下方使用連續(xù)的接地層。建議使用小尺寸電容器 (0402/0201)，以便可以將它們放置在非?？拷娫匆_和相應(yīng)接地引腳的位置并使用頂層進(jìn)行連接。去耦電容器與相應(yīng)電源引腳和接地引腳之間的布線路徑上不得有任何過孔。ESD 保護(hù)二極管必須靠近連接器放置，并與接地層牢固連接。所示的示例適用于隔離式主機(jī)或集線器，但類似的注意事項(xiàng)也適用于隔離式外設(shè)。VBUS 上的 120μF 電容器僅適用于主機(jī)或集線器，不得應(yīng)用于外設(shè)?？梢赃x擇在 VBUS 布線上的 100nF（和 120μF）電容器之后放置一個(gè)直流電阻小于 100mΩ 的鐵氧體磁珠，從而防止 ESD 等瞬變影響電路的其余部分。
圖 8-6 ISOUSB111 布局示例
為了獲得最佳性能，建議盡量縮短從 MCU 到 ISOUSB111 以及從 ISOUSB111 到連接器的 D+/D- 電路板布線長(zhǎng)度。必須避免 D+/D- 線路上的過孔和殘樁。
圖 8-6 ISOUSB111 布局示例