將器件盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以盡可能地縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器布線長(zhǎng)度，如此一來(lái)，與模擬和反饋信號(hào)以及電流檢測(cè)相關(guān)的分量便可以通過(guò)如下方式加以考慮：
- 分離電源和信號(hào)/模擬跡線，并使用接地平面來(lái)提供噪聲屏蔽。
- 將與 COMP、FB、ISNS+、IMON、ISET 和 RT 相關(guān)的所有敏感模擬布線和元件放置在遠(yuǎn)離 SW、HO、LO 或 CBOOT 等高壓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的位置，以避免相互耦合。使用內(nèi)部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線和電流檢測(cè)（ISNS+ 和 VOUT）跡線與電源跡線和元件隔離開(kāi)來(lái)。
- 將上反饋電阻器和下反饋電阻器靠近 FB 引腳放置，從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到負(fù)載處所需的輸出電壓感測(cè)點(diǎn)上。
- 以差分對(duì)形式布放 ISNS+ 和 VOUT 檢測(cè)跡線，從而更大限度地減少噪聲拾取，并使用開(kāi)爾文連接方式連接到適用的分流電阻器。
- 盡可能地縮小從 VCC 和 VIN 引腳通過(guò)相應(yīng)去耦電容器到 PGND 引腳的環(huán)路面積。將這些電容器盡可能靠近器件放置。