ZHCSQX2A July 2024 – November 2025 LM5190-Q1
PRODUCTION DATA
LM5190-Q1 包含柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)關(guān)聯(lián)的高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器來(lái)驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET。高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器與內(nèi)部自舉二極管 DBOOT 和自舉電容器 CBOOT 搭配使用。在低側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通間隔期間，SW 電壓約為 0V，而 CBOOT 通過(guò)內(nèi)部 DBOOT 從 VCC 充電。TI 建議使用短跡線在 CBOOT 和 SW 引腳之間連接一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器。
LO 和 HO 輸出由自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間方法進(jìn)行控制，因此兩個(gè)輸出（HO 和 LO）絕不會(huì)同時(shí)啟用，從而防止出現(xiàn)跨導(dǎo)。在允許啟用 LO 驅(qū)動(dòng)器輸出之前，自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間邏輯會(huì)先禁用 HO 并等待 HO 電壓降至 1.5V（典型值）以下。然后，會(huì)允許 LO 在短暫延遲（HO 下降至 LO 上升延遲）后啟用。同樣，HO 導(dǎo)通會(huì)延遲，直到 LO 電壓降至 1.5V 以下。這項(xiàng)技術(shù)確保任何尺寸的 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)（包括并聯(lián) MOSFET 配置）具有足夠的死區(qū)時(shí)間。
添加串聯(lián)柵極電阻器時(shí)要格外小心，因?yàn)榇瞬僮骺赡苡绊懹行绤^(qū)時(shí)間。所選的高側(cè) MOSFET 確定了相應(yīng)自舉電容值 CBOOT，如方程式 14 所示。
其中
若要確定 CBOOT，請(qǐng)選擇合適的 ΔVCBOOT，使可用的柵極驅(qū)動(dòng)電壓不會(huì)受到顯著影響。ΔVCBOOT 的可接受范圍為 100mV 至 300mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器，典型值為 0.1μF。所選 FET 應(yīng)確保最小輸入電源電壓高于 FET 的柵極平坦區(qū)域電壓加上 0.5V，以便 FET 導(dǎo)通時(shí)在歐姆區(qū)域工作。
當(dāng) LM5190-Q1 配置的目標(biāo)輸出電壓低于 7.5V 時(shí)，內(nèi)部自舉 UV 電路可以通過(guò) SW 引腳提供 25uA 的電流。在輕載或空載條件下，反饋分壓器的電阻不足以灌入額外的電流，需要一些虛擬負(fù)載來(lái)釋放輸出電容器上的電荷。