ZHCSV85 March 2024 LMG3425R050
PRODUCTION DATA
LMG3425R050 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,能夠讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。
LMG3425R050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合,可在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_(kāi)關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間,這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。
高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告、故障檢測(cè)和理想二極管模式。GaN FET 的溫度通過(guò)可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報(bào)告,這可簡(jiǎn)化器件加載管理。報(bào)告的故障包括過(guò)流、短路、過(guò)熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。理想二極管模式通過(guò)啟用空載時(shí)間控制功能的方式降低第三象限損耗。