ZHCSV85 March 2024 LMG3425R050
PRODUCTION DATA
圖 6-1 展示了用于測量大多數(shù)開關(guān)參數(shù)的電路。該電路的頂部器件用于電感器電流再循環(huán),并且僅在第三象限模式下運(yùn)行。只有 LMG3422R050 必須用作頂部器件,因?yàn)樗痪哂欣硐攵O管模式特性。請勿將 LMG3425R050 用于頂部器件。如果頂部器件具有理想的二極管模式特性,就會(huì)在電感器電流再循環(huán)時(shí)自動(dòng)導(dǎo)通 GaN FET,在底部器件導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)致發(fā)生擊穿電流事件。底部器件是有源器件,導(dǎo)通后可將電感器電流增加到所需測試電流。然后,底部器件將關(guān)斷和導(dǎo)通,以在特定電感器電流下生成開關(guān)波形。測量漏極電流(在源極)和漏源電壓。圖 6-2 展示了具體的時(shí)序測量結(jié)果。TI 建議使用半橋作為雙脈沖測試儀。第三象限過度運(yùn)行可能會(huì)使頂部器件過熱。