LMG342xR030 實(shí)現(xiàn)了兩種過熱關(guān)斷（OTSD）保護(hù)功能，即：GaN OTSD 與驅(qū)動(dòng)器 OTSD。為了最大化器件保護(hù)，需要通過感應(yīng)器件不同位置，以及針對(duì)不同熱故障情況提供防護(hù)的方式提供兩種 OTSD 功能。

GaN OTSD 可檢測(cè) GaN FET 溫度。GaN FET 可能受第一象限電流與第三象限電流影響出現(xiàn)過熱情況。如“GaN FET 操作定義”所述，F(xiàn)ET 可以通過進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)的方式，防止第一象限電流，但無法防止第三象限電流。FET 第三象限損耗是 FET 技術(shù)、電流大小以及 FET 處于導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的函數(shù)。如“GaN FET 操作定義”所述，LMG342xR030 在關(guān)斷狀態(tài)下的 GaN FET 第三象限損耗要高得多。

GaN FET 溫度過高情況下，最好的保護(hù)措施是在第一象限電流試圖流動(dòng)時(shí)關(guān)斷 GaN FET，而在第三象限電流流動(dòng)時(shí)導(dǎo)通 GaN FET。該類 FET 控制又稱“理想二極管模式（IDM）”。超過 GaN OTSD 跳閘點(diǎn)后，GaN OTSD 會(huì)讓 GaN FET 進(jìn)入過溫關(guān)斷理想二極管模式（OTSD-FET IDM）工作，以便實(shí)現(xiàn)出色的保護(hù)效果。在“理想二極管模式操作”中，對(duì) OTSD-IDM 進(jìn)行了詳細(xì)說明。

相較 GaN OTSD，驅(qū)動(dòng)器 OTSD 能夠檢測(cè)集成驅(qū)動(dòng)器溫度，并且能夠在溫度較高時(shí)跳閘。該第二個(gè) OTSD 功能的存在是為了保護(hù) LMG342xR030 免受驅(qū)動(dòng)器熱故障事件的影響，也能夠?yàn)?OTSD-IDM 工作提供足夠的溫差。該等驅(qū)動(dòng)器熱事件包括 LDO5V、BBSW 以及 VNEG 器件引腳上的短路。超過驅(qū)動(dòng)器 OTSD 跳閘點(diǎn)時(shí)，驅(qū)動(dòng)器 OTSD 就會(huì)關(guān)閉 LDO5V 穩(wěn)壓器、VNEG 降壓/升壓轉(zhuǎn)換器以及 GaN FET。請(qǐng)注意，OTSD-IDM 在驅(qū)動(dòng)器 OTSD 中不起作用。這就是為什么驅(qū)動(dòng)器 OTSD 的跳閘點(diǎn)必須高于 GaN OTSD 功能的原因。否則，無法解決 GaN FET 第三象限過熱問題。

由于 GaN OTSD 與驅(qū)動(dòng)器 OTSD 檢測(cè)點(diǎn)之間存在熱梯度差，因此除了 GaN OTSD 與驅(qū)動(dòng)器 OTSD 跳閘點(diǎn)之間的溫度差之外，還會(huì)產(chǎn)生進(jìn)一步的溫度分離。由于存在 GaN FET 耗散功率，因此當(dāng)器件處于 GaN OTSD 時(shí)，GaN OTSD 傳感器通常至少比驅(qū)動(dòng)器 OTSD 傳感器高出 20℃。

在 GaN OTSD 狀態(tài)與驅(qū)動(dòng)器 OTSD 狀態(tài)下，“故障”引腳會(huì)被置位。當(dāng) GaN OTSD 與驅(qū)動(dòng)器 OTSD 下降到負(fù)的跳閘點(diǎn)以下時(shí)，“故障”引腳會(huì)取消置位，器件會(huì)自動(dòng)恢復(fù)正常工作。冷卻期間，當(dāng)器件退出驅(qū)動(dòng)器 OTSD 狀態(tài)，但仍處于 GaN OTSD 狀態(tài)時(shí)，器件將會(huì)自動(dòng)恢復(fù) OTSD-IDM 運(yùn)行。