ZHCSM56F September 2020 – August 2024 LMG3422R030 , LMG3426R030 , LMG3427R030
PRODUCTION DATA
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LMG342xR030 利用串聯(lián) Si FET 來確保在未施加 VDD 偏置電源情況下，電源 IC 保持關斷狀態(tài)。當 VDD 偏置電源關閉時，串聯(lián)的硅 FET 以級聯(lián)模式與 GaN 器件互連，如“功能方框圖”所示。對于 GaN 器件的柵極，保持在串聯(lián)的硅 FET 源極的一伏特范圍以內(nèi)。當漏極施加高電壓并且硅 FET 阻斷漏極電壓時，GaN 器件的 VGS 會降低，直到 GaN 器件通過閾值電壓。隨后，GaN 器件關斷，并且阻斷漏極電壓的剩余主要部分。存在一個能夠確保硅 FET 的 VDS 不會超過最大額定值的內(nèi)部箝位。該特性能夠避免在沒有偏置電源情況下串聯(lián)硅 FET 發(fā)生雪崩現(xiàn)象。
當 LMG342xR030 利用 VDD 偏置電源上電時，內(nèi)部降壓/升壓轉換器能夠產(chǎn)生足以直接關斷 GaN 器件的負電壓（VVNEG）。這種情況下，串聯(lián)硅 FET 保持導通狀態(tài)，并且 GaN 器件直接被負電壓選通。
與傳統(tǒng)的級聯(lián)驅(qū)動 GaN 架構（GaN 柵極接地，驅(qū)動硅 MOSFET 柵極，以便控制 GaN 器件）相比，直接驅(qū)動配置具有多種優(yōu)勢。首先，由于硅 MOSFET 確實需要在每個開關周期中切換，因此 GaN 柵源電荷（QGS）更低，并且沒有與硅 MOSFET 反向恢復相關的損耗。其次，由于 GaN 漏源電容（CDS）較高，級聯(lián)配置中關斷模式下 GaN 與硅 MOSFET 之間的電壓分布會導致 MOSFET 發(fā)生雪崩現(xiàn)象。最后，直接驅(qū)動配置中的開關轉換率能夠控制，但級聯(lián)驅(qū)動則無法控制。如需了解直接驅(qū)動 GaN 架構的更多相關信息，可參閱 “適用于 GaN 器件的直接驅(qū)動配置”。