ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
LMG352xR030 是一款具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢復(fù)和超低輸出電容，可在基于橋的拓?fù)渲蝎@得高效率。直接驅(qū)動(dòng)架構(gòu)適用于通過(guò)集成式柵極驅(qū)動(dòng)器直接控制 GaN 器件。相較傳統(tǒng)的級(jí)聯(lián)方法，該架構(gòu)具有更為出色的開(kāi)關(guān)性能，有助于解決 GaN 應(yīng)用中的一系列難題。
集成驅(qū)動(dòng)器可確保器件在漏極壓擺率 時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。集成驅(qū)動(dòng)器可保護(hù) GaN 器件免受過(guò)流、短路、過(guò)熱、VDD 欠壓和高阻抗 RDRV 引腳的影響。集成式驅(qū)動(dòng)器還能夠感測(cè)芯片溫度，能夠通過(guò)一個(gè)經(jīng)調(diào)制的 PWM 信號(hào)發(fā)出溫度信號(hào)。LMG3526R030 具有零電壓檢測(cè) (ZVD) 功能，可在檢測(cè)到零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 時(shí)在 ZVD 引腳輸出脈沖信號(hào)。LMG3527R030 包含零電流檢測(cè) (ZCD) 功能，可在檢測(cè)到正漏源電流時(shí)提供來(lái)自 ZCD 引腳的脈沖輸出。
與 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源極到漏極之間沒(méi)有 p-n 結(jié)，因此沒(méi)有反向恢復(fù)電荷。然而，GaN 器件仍然會(huì)像 p-n 結(jié)體二極管一樣從源極導(dǎo)通到漏極，但壓降更高，導(dǎo)通損耗更高。因此，必須在 LMG352xR030 GaN FET 關(guān)斷時(shí)盡可能縮短源漏導(dǎo)通時(shí)間。