ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
對于 LMG352xR030(圖 5-11)的容許重復(fù)性安全工作區(qū),由導(dǎo)通期間的漏極峰值電流(IDS)與漏源電壓(VDS)決定。開關(guān)期間的峰值漏極電流是進(jìn)入漏極端子的幾個電流之和:電感電流(Iind);為圖騰柱中其他 GaN 器件的 COSS 充電所需要的電流;以及為開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的寄生電容充電所需要的電流(Cpar)。310pF 用作開關(guān)期間器件的平均 COSS。對于開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的寄生電容,可通過 PCB 的疊加電容估算。安全工作區(qū)測試采用升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖 6-5 所示電路用于生成 圖 5-11 中安全工作區(qū)曲線。為保證可靠運(yùn)行,器件結(jié)溫也必須限制在 125℃。圖 5-11 的 IDS 的計(jì)算公式如下:
其中,峰值電流時的漏極轉(zhuǎn)換率估計(jì)為總線電壓的 70% 至 30%,Cpar 為開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的寄生電路板電容。
如需了解更多詳細(xì)信息,可參閱《實(shí)現(xiàn) GaN 產(chǎn)品的壽命可靠性》。