ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
GaN 器件具有極低的輸出電容,能夠在高 dv/dt 的情況下快速開(kāi)關(guān),因此具有非常低的開(kāi)關(guān)損耗。為了保持這種低開(kāi)關(guān)損耗,必須最大限度減少向輸出節(jié)點(diǎn)添加的額外電容??筛鶕?jù)該等指南,最大限度減小開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處的 PCB 電容: