ZHCSTV4 November 2023 LMG3612
PRODUCTION DATA
6.1 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
圖 6-1 顯示了用于測量 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)的電路。該電路用作雙脈沖測試儀。有關(guān)雙脈沖測試儀的詳細(xì)信息，請參閱外部基準(zhǔn)。電路在升壓配置下運行，低側(cè) LMG3612 為被測器件 (DUT)。高側(cè) LMG3612 充當(dāng)雙脈沖測試儀二極管，并在關(guān)斷狀態(tài)第三象限導(dǎo)通模式下實現(xiàn)電感器電流循環(huán)。
圖 6-1 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)測試電路
圖 6-2 顯示了 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)。
GaN 功率 FET 導(dǎo)通轉(zhuǎn)換有三個時序分量：漏極電流導(dǎo)通延遲時間、導(dǎo)通延遲時間和導(dǎo)通上升時間。請注意，導(dǎo)通上升時間與 VDS 80% 至 20% 下降時間相同。所有三個導(dǎo)通時序分量都是 RDRV 引腳設(shè)置的函數(shù)。
GaN 功率 FET 關(guān)斷轉(zhuǎn)換具有兩個時序分量：關(guān)斷延遲時間和關(guān)斷下降時間。請注意，關(guān)斷下降時間與 VDS 20% 至 80% 上升時間相同。關(guān)斷時序分量與 RDRV 引腳設(shè)置無關(guān)，但在很大程度上取決于 LHB 電流。
與導(dǎo)通上升時間電壓差 (240V) 相比，導(dǎo)通壓擺率是在較小的電壓差 (100V) 下測量的，以獲得更快的壓擺率，這對 EMI 設(shè)計很有用。RDRV 引腳用于設(shè)定壓擺率。
圖 6-2 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)