ZHCSTV4 November 2023 LMG3612
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GAN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VIN > VIN,IT+ 到 ID > 50mA，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2A，采用以下壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 75 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 34 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 28 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 23 | |||||
| td(on) | 導通延遲時間 | 從 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2A，采用以下壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 107 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 47 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 37 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 28 | |||||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 從 VIN < VIN,IT– 到 VDS > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2A（與壓擺率設置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 33 | ns | ||
| tf(off) | 關(guān)斷下降時間 | 從 VDS > 80V 到 VDS > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2A（與壓擺率設置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 21 | ns | ||
| 導通壓擺率 | 從 VDS < 250V 到 VDS < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2A，采用以下壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | |||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 17 | V/ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 42 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 65 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 125 | |||||