ZHCST41C September 2023 – September 2025 LMG3624
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REQ|38
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.1 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
圖 6-1 展示了用于測(cè)量 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)的電路。該電路用作雙脈沖測(cè)試儀。有關(guān)雙脈沖測(cè)試儀的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱外部基準(zhǔn)。電路在升壓配置下運(yùn)行，低側(cè) LMG3624 為被測(cè)器件 (DUT)。高側(cè) LMG3624 充當(dāng)雙脈沖測(cè)試儀二極管，并在關(guān)斷狀態(tài)第三象限導(dǎo)通模式下實(shí)現(xiàn)電感器電流循環(huán)。
圖 6-1 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)測(cè)試電路
圖 6-1 展示了 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)。
GaN 功率 FET 導(dǎo)通轉(zhuǎn)換有三個(gè)時(shí)序分量：漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間和導(dǎo)通上升時(shí)間。請(qǐng)注意，導(dǎo)通上升時(shí)間與 VDS 80% 至 20% 下降時(shí)間相同。所有三個(gè)導(dǎo)通時(shí)序分量都是 RDRV 引腳設(shè)置的函數(shù)。
GaN 功率 FET 關(guān)斷轉(zhuǎn)換具有兩個(gè)時(shí)序分量：關(guān)斷延遲時(shí)間和關(guān)斷下降時(shí)間。請(qǐng)注意，關(guān)斷下降時(shí)間與 VDS 20% 至 80% 上升時(shí)間相同。關(guān)斷時(shí)序分量與 RDRV 引腳設(shè)置無關(guān)，但在很大程度上取決于 LHB 電流。
與導(dǎo)通上升時(shí)間電壓差 (240V) 相比，導(dǎo)通壓擺率是在較小的電壓差 (100V) 下測(cè)量的，以獲得更快的壓擺率，這對(duì) EMI 設(shè)計(jì)很有用。使用 RDRV 引腳設(shè)定轉(zhuǎn)換率。
圖 6-2 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)