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LMG3624

正在供貨

700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm2 8 x 5.3
  • GaN 功率 FET：700V，155m?，
  • 具有低傳播延遲和可調節(jié)導通壓擺率控制的集成柵極驅動器
  • 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
  • 逐周期過流保護
  • 通過 FLT 引腳報告實現(xiàn)過熱保護
  • AUX 靜態(tài)電流：240μA
  • AUX 待機靜態(tài)電流：50μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 帶有散熱焊盤的 8mm × 5.3mm QFN 封裝
  • GaN 功率 FET：700V，155m?，
  • 具有低傳播延遲和可調節(jié)導通壓擺率控制的集成柵極驅動器
  • 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
  • 逐周期過流保護
  • 通過 FLT 引腳報告實現(xiàn)過熱保護
  • AUX 靜態(tài)電流：240μA
  • AUX 待機靜態(tài)電流：50μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 帶有散熱焊盤的 8mm × 5.3mm QFN 封裝

LMG3624 是一款 700V 155mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm VQFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。

可編程導通轉換率可實現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到?jīng)鏊?PCB 電源地。

LMG3624 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現(xiàn)突發(fā)模式運行。保護特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱保護。過熱保護通過漏極開路 FLT 引腳報告。

LMG3624 是一款 700V 155mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm VQFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。

可編程導通轉換率可實現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到?jīng)鏊?PCB 電源地。

LMG3624 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現(xiàn)突發(fā)模式運行。保護特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱保護。過熱保護通過漏極開路 FLT 引腳報告。
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技術文檔

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 LMG3624 具有集成式驅動器 和電流檢測仿真功能 的 700V、 155 m?、GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 10月 29日
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應用簡報 利用 TI GaN 中的集成電流檢測功能更大限度提高系統(tǒng)效率 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 12月 13日
產(chǎn)品概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 進行設計 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 11月 29日

設計和開發(fā)

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評估板

LMG3624EVM-081 — LMG3624 支持 USB Type-C? PD 的 65W 準諧振反激式轉換器評估模塊

LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (PD) 離線適配器的高效率和高密度特性。該輸入支持 90Vac 至 265Vac 通用電壓范圍，輸出可設置為 5V、9V 和 15V（電流最大為 3A）或 20V（電流最大為 3.25A），此類設置可通過 USB PD 接口控制器進行調整。標稱頻率高達 200kHz 的高頻運行可實現(xiàn)小解決方案尺寸，而多模式運行可保持高效率。在輸出端使用同步整流技術，以提高效率。

用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
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計算工具

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級
  • LMG3612 — 具有集成驅動器和保護功能的 650-V 120-mΩ?GaN FET
  • LMG3614 — 具有集成驅動器和保護功能的 650-V 170-mΩ?GaN FET
  • LMG3616 — 具有集成驅動器和保護功能的 650-V 270-mΩ?GaN FET
  • LMG3622 — 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection
  • LMG3624 — 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
  • LMG3626 — 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
參考設計

TIDA-050072 — 基于 GaN 的 65W USB PD3.0 USB-C 適配器參考設計

此參考設計是一款 65W USB PD3.0 適配器，適用于多種充電應用，包括手機、筆記本電腦和平板電腦。此設計通過將 LMG3624 集成式 GaN FET 與電流檢測仿真配合使用，實現(xiàn)了高效率和高功率密度。準諧振反激實現(xiàn)了高效率，在簡單性和低開關損耗之間取得了平衡。
設計指南: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

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