ZHCST41C September 2023 – September 2025 LMG3624
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | LMG3624，從 VIN > VIN,IT+ 到 ID > 37.5mA，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下轉(zhuǎn)換率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 64 | ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 31 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 26 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 23 | |||||
| td(on)(Idrain) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | LMG3624Y，從 VIN > VIN,IT+ 到 ID > 37.5mA，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下轉(zhuǎn)換率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 128 | ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 55 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 41 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 24 | |||||
| td(on) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | LMG3624，從 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下轉(zhuǎn)換率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 86 | ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 40 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 34 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 27 | |||||
| td(on) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | LMG3624Y，從 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下轉(zhuǎn)換率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 178 | ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 76 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 56 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 28 | |||||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 從 VIN < VIN,IT– 到 VDS > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 32 | ns | ||
| tf(off) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | 從 VDS > 80V 到 VDS > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 22 | ns | ||
| 導(dǎo)通壓擺率 | LMG3624，從 VDS < 250V 到 VDS < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下轉(zhuǎn)換率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | |||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 20 | V/ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 50 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 75 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 150 | |||||
| 導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率 | LMG3624Y，從 VDS < 250V 到 VDS < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下轉(zhuǎn)換率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | |||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 7 | V/ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 15 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 22 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 89 | |||||
| CS | ||||||
| tr | 上升時(shí)間 | 從 ICS(src) > 0.2 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，啟用至 1.5A 負(fù)載 | 35 | ns | ||
| EN | ||||||
| EN 喚醒時(shí)間 | 從 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V | 1.5 | μs | |||