ZHCSPF6C February 2022 – December 2025 LMQ66410 , LMQ66420 , LMQ66430
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RXB|14
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.9 電流限值和短路
該器件通過針對高側和低側 MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護。高側 (HS) MOSFET 過流保護是通過典型峰值電流模式控制方案來實現(xiàn)的。當高側開關在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側開關電流。在每個開關周期，將高側開關電流與固定電流設定點的最小值，或與內部誤差放大器環(huán)路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。當 HS 開關電流達到限流閾值時，HS 開關關閉。由于內部誤差放大器環(huán)路的輸出具有最大值，并且斜率補償隨著占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高側電流限值會隨著占空比的增加而降低。
當?shù)蛡?(LS) 開關接通時，也會檢測和監(jiān)控流經該開關的電流。與高側器件一樣，低側器件具有由內部誤差放大器環(huán)路命令的關斷功能。對于低側器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關周期，也會在電流超過此值時阻止關斷。與高側器件一樣，關斷電流的高低也受到限制。該限值在圖 7-10 中稱為低側電流限值 IVALMAX。如果超出低側電流限值，低側 MOSFET 將保持導通狀態(tài)，高側開關不會導通。一旦低側電流降至此限值以下，低側開關就會關斷，并且只要自高側器件上次導通后至少經過一個時鐘周期，高側開關就會再次導通。
圖 7-10 電流限值波形由于電流波形假定值介于 IPEAKMAX 和 IVALMAX 之間，因此最大輸出電流非常接近這兩個值的平均值，除非占空比非常高。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
如果發(fā)生極端過載并滿足以下條件，LMQ664x0 會采用斷續(xù)過流保護：
- 輸出電壓低于輸出電壓設定點的約 0.4 倍。
- 自軟啟動開始以來，經過了大于 tSS 的時間。
- 該器件不處于壓降運行狀態(tài)，表明具有最短關斷時間受控占空比。
在斷續(xù)模式下，器件會關斷，并在 tHICCUP 后嘗試軟啟動。斷續(xù)模式有助于在嚴重過流和短路情況下降低器件功耗。請參閱圖 7-11。
一旦消除過載，器件就會像在軟啟動中一樣恢復；請參閱圖 7-12。
圖 7-11 進入斷續(xù)
圖 7-12 退出斷續(xù)