ZHCST04 September 2024 LMR66430-EP
PRODUCTION DATA
開(kāi)關(guān)頻率的選擇會(huì)影響設(shè)計(jì)中的多個(gè)方面。通常需要考慮兩個(gè)方面，即設(shè)計(jì)尺寸和效率。開(kāi)關(guān)頻率越高，外部無(wú)源器件就越小，但代價(jià)是功率耗散會(huì)增加。
LMR66430-EP 提供兩款可訂購(gòu)產(chǎn)品（節(jié) 4）。本設(shè)計(jì)示例使用了 LMR66430MB3RXBRNEP。在自動(dòng)模式下運(yùn)行時(shí)，器件的標(biāo)稱工作頻率為 1MHz。可將模式配置為 FPWM 以實(shí)現(xiàn) 1MHz、CCM 運(yùn)行，即使在輕負(fù)載條件下也是如此。LMR66430R3RXBRNEP 還允許與外部時(shí)鐘同步。更多信息，請(qǐng)參閱 MODE/SYNC 部分和規(guī)格。
此設(shè)計(jì)需要 3A 的峰值負(fù)載電流。在 12VIN、3.3VOUT（固定）下、負(fù)載為 3A 時(shí)、功率耗散為 1.5W（圖 8-5）。圖 8-12 展示了總功率耗散為 1.5W（電感器和 IC）會(huì)導(dǎo)致外殼溫度升高至比環(huán)境溫度高大約 55°C。假設(shè)在高溫下具有極小的額外功率損耗，由于環(huán)境溫度加上外殼溫升（近似結(jié)溫）低于最大結(jié)溫額定值，因此，此設(shè)計(jì)必須在高達(dá) 85°C 的溫度下運(yùn)行。此處假設(shè)最終設(shè)計(jì)具有與 EVM 類似的熱性能。如果假設(shè)設(shè)計(jì)的 EVM 熱性能較差，請(qǐng)參閱圖 8-3。此圖顯示了縮小 4 層 PCB 中所有層上的電路板覆銅區(qū)對(duì)電路板的熱性能有何影響。
LMR66430MB3RXBRNEP 以固定的 1MHz 頻率運(yùn)行。如果發(fā)現(xiàn)功率耗散不符合設(shè)計(jì)要求，不妨選擇 LMR66430R3RXBRNEP，它可以配置為較低的開(kāi)關(guān)頻率以降低功率耗散。如果上述兩種方法都不可行，請(qǐng)咨詢 TI 以尋找替代電源解決方案。