ZHCSZ78 November 2025 RES21A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDF|8
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.4 濕度彈性
RES21A-Q1 的過熱漂移規(guī)格假設(shè)環(huán)境相對(duì)濕度穩(wěn)定，在低濕度環(huán)境中執(zhí)行特性測(cè)試。RES21A-Q1 的鑒定測(cè)試表明，在高濕度水平（85% 相對(duì)濕度，85°C 環(huán)境溫度，1000 小時(shí)）下進(jìn)行偏置測(cè)試后，器件保持在指定限值內(nèi)。雖然器件的模塑化合物可以保護(hù) SiCr 電阻器免受高濕度導(dǎo)致的腐蝕，但水分進(jìn)入模塑化合物可能會(huì)導(dǎo)致模塑化合物腫脹，這會(huì)表現(xiàn)為芯片上的機(jī)械應(yīng)力。這種額外的應(yīng)力可能會(huì)導(dǎo)致微小的參數(shù)漂移，具體取決于暴露條件的嚴(yán)重程度和持續(xù)時(shí)間。
對(duì)部分器件進(jìn)行了額外的擴(kuò)展驗(yàn)證測(cè)試，以表征在溫度恒定而濕度變化的條件下，器件匹配規(guī)格的漂移情況。首先將烘箱內(nèi)的濕氣清除，將器件在 70°C 下烘烤，隨后降至 25°C 并記錄 0% 相對(duì)濕度的測(cè)量值。隨后將濕度從低到高逐步調(diào)節(jié)，每個(gè)濕度等級(jí)下保持三分鐘穩(wěn)定時(shí)間，再記錄測(cè)量數(shù)據(jù)并繼續(xù)提升濕度水平。所示曲線已歸一化至各自在 50% 相對(duì)濕度下的對(duì)應(yīng)值，以更清晰地展現(xiàn)偏移特性。
圖 7-4 RES21A-Q1 tDx 與濕度間的關(guān)系
圖 7-5 RES21A-Q1 tM 與濕度間的關(guān)系結(jié)果表明，分壓比容差 (tDx) 和分壓器匹配度 (tM) 在 20% 至 60% 的濕度范圍內(nèi)對(duì)濕度變化具有很強(qiáng)的穩(wěn)健性。在 0% 至 20% 或 60% 至 70% 的濕度區(qū)間內(nèi)，較高分壓比的器件（如 RES21A90-Q1）隨濕度增加表現(xiàn)出更顯著的偏移，而較低分壓比的器件（如 RES21A10-Q1）則僅呈現(xiàn)微小變化。在 70% 至 90% 相對(duì)濕度范圍內(nèi)，觀測(cè)到更為顯著的偏移，其中高分壓比器件再次表現(xiàn)出最強(qiáng)的相關(guān)性漂移。
絕對(duì)測(cè)量或端到端測(cè)量（例如 tabs）顯示出隨濕度的微小變化。其他實(shí)驗(yàn)表明，將浸泡時(shí)間增加到三分鐘以上可以改善器件的穩(wěn)定，從而減少參數(shù)不匹配。請(qǐng)注意，測(cè)量誤差源（例如高濕度加熱室冷凝）可能會(huì)影響電路板的清潔度并夸大參數(shù)變化，尤其是對(duì)于比率較高的器件，因?yàn)檫@些器件可能需要切換萬用表范圍來進(jìn)行精確測(cè)量。濕度結(jié)果表明，如果使用具有高濕度任務(wù)剖面的 RES21A-Q1，或者在環(huán)境濕度控制不好且容易快速波動(dòng)的情況下，請(qǐng)考慮加入額外的設(shè)計(jì)裕度來應(yīng)對(duì)濕度的潛在變化。