ZHCSB94D July 2013 – September 2025 SN65HVD888
PRODUCTION DATA
當(dāng)驅(qū)動(dòng)器和接收器都被禁用（DE = 低電平且 RE = 高電平）時(shí)，該器件進(jìn)入待機(jī)模式。如果使能輸入僅在短時(shí)間（例如小于 100ns）內(nèi)處于禁用狀態(tài)，則該器件不會(huì)進(jìn)入待機(jī)模式，從而防止 SN65HVD888 在驅(qū)動(dòng)器或接收器使能過(guò)程中進(jìn)入待機(jī)模式。只有當(dāng)使能輸入保持在禁用狀態(tài)的時(shí)間達(dá)到 300ns 或更長(zhǎng)時(shí)間時(shí)，該器件才會(huì)進(jìn)入低功耗待機(jī)模式。在此模式下，大多數(shù)內(nèi)部電路會(huì)斷電，穩(wěn)定狀態(tài)的電源電流通常小于 400nA。當(dāng)重新啟用驅(qū)動(dòng)器或接收器時(shí)，內(nèi)部電路會(huì)變?yōu)榧せ顮顟B(tài)。在 VCC 上電期間，如果器件設(shè)置為驅(qū)動(dòng)器和接收器禁用模式，由于電容充電效應(yīng)，該器件可能會(huì)消耗超過(guò) 5μA 的 ICC 禁用電流。這種情況僅在 VCC 上電期間發(fā)生。