ZHCSYK7B August 1997 – July 2025 TLV2721
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
TLV2721 旨在驅(qū)動比大多數(shù) CMOS 運算放大器更大的容性負載。圖 5-27 至圖 5-28 展示示了驅(qū)動大于 100pF 的負載并同時保持良好的增益裕度和相位裕度 (Rnull = 0?) 的能力。
器件輸出端(圖 7-1)的小串聯(lián)電阻器 (Rnull) 可在驅(qū)動大容性負載時改善增益裕度和相位裕度。圖 5-27 和圖 5-28 展示了增加 100?、200?、500? 和 1k? 串聯(lián)電阻的影響。增加該串聯(lián)電阻器有兩個影響:第一個影響是電阻器向傳遞函數(shù)中增加一個零點,第二個影響是電阻器降低與傳遞函數(shù)中的輸出負載相關(guān)的極點頻率。
引入傳遞函數(shù)的零點等于串聯(lián)電阻乘以負載電容。要計算相位裕度的近似改善,請使用以下公式:
其中:
?φm1 = 相位裕度的改善
UGBW = 單位增益帶寬頻率
Rnull = 輸出串聯(lián)電阻
CL = 負載電容
單位增益帶寬 (UGBW) 頻率隨著容性負載的增加而降低。要使用方程式 1,請近似計算圖 7-1 中給定容性負載的 UGBW。
TLV2721 旨在提供比早期 CMOS 軌到軌輸出器件更好的灌電流和拉電流輸出。該器件能夠在 VDD = 5V 時,以 200μA 的最大靜態(tài) IDD,產(chǎn)生 500μA 灌電流和 1mA 拉電流。這樣可以提供大于 80% 的電源效率。
驅(qū)動重直流負載(如 2kΩ)時,壓擺條件下的正邊會出現(xiàn)一些失真;另請參閱圖 5-22。這種情況受三個因素的影響: