ZHCSLR4G December 2019 – March 2026 TMUX1308-Q1 , TMUX1309-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- BQB|16
訂購(gòu)信息
7.7 電荷注入
TMUX1308-Q1 和 TMUX1309-Q1 器件具有傳輸門拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會(huì)導(dǎo)致在柵極信號(hào)的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入，用符號(hào) QC 表示。圖 7-7 展示了用于測(cè)量從源極 (Sx) 到漏極 (D) 的電荷注入的設(shè)置。
圖 7-7 電荷注入測(cè)量設(shè)置