ZHCSZE6 December 2025 TMUX182-SEP
ADVANCE INFORMATION
NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會(huì)導(dǎo)致在柵極信號(hào)的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱(chēng)為電荷注入,用符號(hào) QC 表示。圖 6-8 展示了用于測(cè)量從源極 (Sx) 到漏極 (D) 的電荷注入的設(shè)置。