ZHCSYN2A July 2025 – September 2025 TMUX5411 , TMUX5412 , TMUX5413
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 Features
- 2 應(yīng)用
- 3 Description
- 4 引腳配置和功能
-
5 規(guī)格
- 5.1 Absolute Maximum Ratings
- 5.2 ESD Ratings
- 5.3 Thermal Information
- 5.4 Recommended Operating Conditions
- 5.5 ±15V Dual Supply: Electrical Characteristics?
- 5.6 ±15V Dual Supply: Switching Characteristics?
- 5.7 48V Single Supply: Electrical Characteristics?
- 5.8 48V Single Supply: Switching Characteristics?
- 5.9 12 V Single Supply: Electrical Characteristics?
- 5.10 12V Single Supply: Switching Characteristics?
- 5.11 Typical Characteristics
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10Revision History
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.6 電荷注入
該器件具有傳輸門拓?fù)?。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會(huì)導(dǎo)致在柵極信號(hào)的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入，用符號(hào) QC 表示。圖 6-6 展示了用于測(cè)量從源極 (Sx) 到漏極 (Dx) 的電荷注入的設(shè)置。
圖 6-6 電荷注入測(cè)量設(shè)置