ZHDS018 December 2025 TPS2HC16-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
為了保護(hù) MOSFET 在高 VDS 電壓下免受過(guò)流影響,器件為更高的電流限制提供了電流限制折返機(jī)制。如果 VBB 電壓高于 VDET1,則電流限制將折返至電流限制設(shè)定值的 1/2。如果 VBB 電壓高于 VDET2,則電流限值將折返至電流限制設(shè)定值的 1/3。圖 6-35 展示了整個(gè) VBB 電壓范圍內(nèi)的器件電流限制折返行為。