ZHDS018 December 2025 TPS2HC16-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
器件 TPS2HC16-Q1 提供高精度可調節(jié)電流，這可實現更高的可靠性，并在短路或大電容上電期間為電源提供保護。可調電流限制還可以通過將電流限制設置為較低的水平來減少 PCB 布線、降低連接器尺寸和前一個功率級的容量，從而節(jié)省系統(tǒng)成本。
該器件的電流限制可通過 ILIM 引腳上的外部電阻器進行調節(jié)。通過 ILIM 引腳設置的值被應用于兩個通道。該器件提供具有熱調節(jié)電流限制的 ILIM 設置，可根據 FET 和控制器的相對溫度調整電流限制水平。這可以避免 FET 快速發(fā)熱并延遲相對熱關斷的觸發(fā)，從而使器件能夠在啟動時為大電容器充電。當 ILIM 引腳短接至 GND 時，可以在不進行熱調節(jié)的情況下配置器件電流限制，其中器件將電流限制在設定的 ILIM 值。表 8-2 詳細說明了可根據 ILIM 引腳配置進行的不同設置。
| ILIM 引腳上的 RLIM 值 | 典型 ICL = KCL / RLIM | 熱調節(jié) |
|---|---|---|
| ILIM = GND 或 RLIM< 22.5kΩ | 15A 的最大設置 | 禁用 |
| RLIM = 22.5kΩ | 15A | 啟用 |
| 22.5kΩ < RLIM < 68.6kΩ | ICL = KCL / RLIM | 啟用 |
| RLIM = 68.6kΩ | 5A | 啟用 |
| ILIM = 開路或 RLIM > 68.6kΩ | 5A 的最小設置 | 啟用 |
該器件還提供快速跳閘斷路器功能，該功能在啟用通道時發(fā)生短路的情況下使用，這種情況也稱為熱短路。達到 ICB 閾值后，器件快速關閉通道，以保護內部 MOSFET。此外，該器件還可在較高電壓下提供電流限制折返功能，有助于在發(fā)生高 VDS 事件時保護內部功率 MOSFET。
系統(tǒng)中可能發(fā)生的不同過流事件包括：
啟用通道并對通道的輸出應用短路條件時，會發(fā)生熱短路。當 MOSFET 的輸出端已經發(fā)生短路時將會啟用至短接，并且通道被啟用至短路狀態(tài)。如果輸出端發(fā)生緩慢上升過流事件，則可能會發(fā)生電流過載，又稱為緩慢蠕變。
在接下來的幾節(jié)中，會介紹具有熱調節(jié)功能和沒有熱調節(jié)功能的電流限制如何與斷路器和熱關斷功能配合工作，以幫助防止可能發(fā)生的各種過流情況。