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ZHCSXO3 December 2024 TPS4812-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGE|23

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

8.3.3.1 I²t 過(guò)流保護(hù)

TPS4812-Q1 的 I²t 曲線(xiàn)通過(guò)兩個(gè)參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，即 I²t 啟動(dòng)過(guò)流閾值 I_OC，以及 I²t 安培平方秒因數(shù)（熔點(diǎn)或斷點(diǎn)）。當(dāng)負(fù)載電流高于 I_OC 設(shè)置閾值時(shí)，過(guò)流保護(hù)時(shí)間 t_OC 將根據(jù) I²t 設(shè)置因數(shù)來(lái)確定。

設(shè)置 I²t 保護(hù)啟動(dòng)閾值，R_IOC

I²t 保護(hù)啟動(dòng)閾值 I_OC 通過(guò) IOC 和 GND 引腳之間的外部電阻 R_IOC 來(lái)設(shè)置。

使用方程式 9 可計(jì)算所需的 R_IOC 值：

方程式 9.

R_{I O C} (Ω) = \frac{V_{(R E F_O C)}}{K \times {(I_{O C})}^{2}}

其中，

V_{(REF_OC)} 是內(nèi)部基準(zhǔn)電壓 200mV。

I_OC 是過(guò)流電平。

比例因數(shù) K 可以通過(guò)方程式 10 進(jìn)行計(jì)算：

方程式 10.

S c a l i n g f a c t o r (K) = \frac{{(0.1 \times \frac{R_{S N S}}{R_{S E T}})}^{2}}{I_{B I A S}}

其中，

I_BIAS 是內(nèi)部基準(zhǔn)電流 5μA。

R_SET 是 CS1+ 和輸入電池電源之間連接的電阻器。

R_SNS 是電流檢測(cè)電阻。

設(shè)置 I²t 曲線(xiàn)，C_I2t

器件通過(guò) CS1+ 和 CS1– 來(lái)檢測(cè)外部電流檢測(cè)電阻 (R_SNS) 兩端的電壓。當(dāng)檢測(cè)到 R_SNS 兩端的電壓超過(guò)通過(guò) R_IOC 電阻設(shè)置的 I_OC 閾值時(shí)，C_I2t 電容器將開(kāi)始充電，充電電流與 I_LOAD² – I_OC² 電流成比例。

在最大過(guò)流限值 (I_{OC_MAX}) 下關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)所需的時(shí)間可使用方程式 11 確定：

方程式 11.

t_{O C_M I N} (s) = \frac{I 2 T f a c t o r}{I_{O C_M A X} \times I_{O C_M A X}}

注：最大過(guò)流限值 (I_{OC_MAX}) 可以比短路保護(hù)閾值 (I_SC) 低 5% 至 10%。

使用方程式 12 可計(jì)算所需的 C_I2t 值。

方程式 12.

C_{I 2 t} (F) = \frac{K \times t_{O C_M I N}}{V_{(I 2 t_O C)} - V_{(I 2 t_O F F S E T)}} \times [{I_{O C_M A X}}^{2} - {I_{O C}}^{2}]

其中，

V_{(I2t_OC)} 是 I²t 跳變閾值電壓 2V（典型值），

V_{(I2t_OFFSET)} 是正常運(yùn)行期間 I2t 引腳上的失調(diào)電壓 500mV（典型值），

t_{OC_MIN} 是最大過(guò)流閾值 I_{OC_MAX} 下所需的過(guò)流響應(yīng)時(shí)間。

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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8.3.3.1 I2t 過(guò)流保護(hù)

8.3.3.1 I²t 過(guò)流保護(hù)