ZHCSXO3 December 2024 TPS4812-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
檢測電阻 (RSNS) 必須靠近 TPS4812-Q1 放置,然后使用開爾文方法連接 RSNS。更多有關開爾文技術的信息,請參閱選擇合適的檢測電阻布局。
在所有應用下,TI 建議在 VS 端子和 GND 之間使用 0.1μF 或更高值的陶瓷去耦電容器。為改善去耦以應對電源線路干擾,可考慮在控制器的電源引腳 (VS) 處添加 RC 網絡。
為最大限度減小環(huán)路電感,從板輸入到負載的大電流路徑以及返回路徑必須相互平行且彼此靠近。
外部 MOSFET 必須靠近控制器放置,以便 MOSFET 的 GATE 靠近 GATE 引腳,從而形成較短的 GATE 環(huán)路??紤]添加一個占位電阻與每個外部 MOSFET 的柵極串聯(lián),以便在需要時抑制高頻振蕩。
在輸入端放置一個 TVS 二極管以用于在熱插拔和快速關斷事件期間鉗制電壓瞬態(tài)。
外部自舉電容器必須靠近 BST 和 SRC 引腳放置,以形成極短的環(huán)路。
TPS4812-Q1 周圍各種元件的接地連接必須直接相互連接,并連接至 TPS4812-Q1 的 GND,然后在某處連接至系統(tǒng)接地。請勿通過大電流接地線將各種元件接地相互連接。