ZHCSUK9 November 2025 TPS548A23
PRODUCTION DATA
如果通過 CFG3-5 引腳選擇了跳躍 (PFM) 模式,則該器件會(huì)在輕負(fù)載條件下自動(dòng)降低開關(guān)頻率以保持高效率。有關(guān)如何選擇 PFM 模式,請(qǐng)參閱多功能配置 (CFG3-5) 引腳 部分。
隨著輸出電流從重負(fù)載條件下減小,電感器電流也會(huì)減小,直到電感器紋波電流的谷值達(dá)到過零檢測(cè)電流閾值(低邊 MOSFET 過零檢測(cè))。過零檢測(cè)閾值設(shè)置連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式之間的邊界。當(dāng)檢測(cè)到該過零檢測(cè)閾值時(shí),同步 MOSFET 會(huì)關(guān)斷。隨著負(fù)載電流進(jìn)一步降低,轉(zhuǎn)換器會(huì)進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)。導(dǎo)通時(shí)間保持在與連續(xù)導(dǎo)通模式運(yùn)行期間大致相同的水平,因此以較小的負(fù)載電流將輸出電容器放電至基準(zhǔn)電壓電平需要更多的時(shí)間。使用方程式 8 來計(jì)算輕負(fù)載運(yùn)行轉(zhuǎn)換點(diǎn) IOUT(LL)(例如,連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式之間的邊界)。
對(duì)于低輸出紋波,TI 建議在跳躍模式下運(yùn)行的設(shè)計(jì)中僅使用陶瓷輸出電容器。