ZHCSUK9 November 2025 TPS548A23
PRODUCTION DATA
對(duì)于降壓轉(zhuǎn)換器,在高邊 MOSFET 的導(dǎo)通階段,開(kāi)關(guān)電流以線性速度增加,速度由輸入電壓、輸出電壓、導(dǎo)通時(shí)間和輸出電感值決定。在低邊 MOSFET 的導(dǎo)通階段,該電流以線性方式下降。開(kāi)關(guān)電流的平均值等于負(fù)載電流。
該器件中的輸出過(guò)流限制 (OCL) 由逐周期谷值電流檢測(cè)控制電路實(shí)施。在低邊 MOSFET 導(dǎo)通狀態(tài)期間會(huì)通過(guò)測(cè)量低邊 MOSFET 漏源電流來(lái)監(jiān)控電感器電流。如果測(cè)得的低邊 MOSFET 漏源電流高于電流限制閾值,則低邊 MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài),直到電流電平低于電流限制閾值。這種類型的行為會(huì)降低該器件提供的平均輸出電流。
在過(guò)流情況下,流向負(fù)載的電流超過(guò)流向輸出電容器的電流。因此,輸出電壓趨于降低。最終,當(dāng)輸出電壓降至低于欠壓保護(hù)閾值 (80%) 時(shí),UVP 比較器會(huì)檢測(cè)到電壓下降并在 70μs 的等待時(shí)間后關(guān)斷該器件。根據(jù)故障恢復(fù)配置,器件會(huì)斷續(xù)或鎖存,如過(guò)壓和欠壓保護(hù) 中所述。
另請(qǐng)參閱節(jié) 6.3.3以了解如何設(shè)置當(dāng)前限制保護(hù)閾值。